Mécanismes de croissance des faces {001} exactes et désorientées de GaAs par la méthode aux chlorures sous H2: Diffusion superficielle, croissance par spirale, mécanismes de désorption HC1 et GaCl3

Journal de Physique II

Volumn 7, Issue 7, 1997, Pages 889-907

  Cadoret, Robert ^a   Lasmea, Evelyne Gil Lafon ^a  

^a UNIVERSITÉ CLERMONT AUVERGNE   (France)

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ADSORPTION; COMPUTER SIMULATION; CURVE FITTING; DESORPTION; LOW TEMPERATURE EFFECTS; MASS TRANSFER; MATHEMATICAL MODELS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; VAPOR PHASE EPITAXY;

GALLIUM CHLORIDE;

SEMICONDUCTOR GROWTH;

EID: 0031188614     PISSN: 11554312     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

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