Étude théorique et expérimentale des distributions angulaires et énergétiques corrélées d'électrons rétrodiffusés par des cibles d'or et de silicium dans un microscope à balayage

Journal de Physique III

Volumn 7, Issue 5, 1997, Pages 963-977

  Gerard P ^a   Ouabbou, A ^b   Balladore, J L ^c   Martinez, J P ^b  

^a UNIVERSITÉ ET INSA DE ROUEN   (France)

^b CEMES CNRS   (France)

^c GOA PHASE CNRS   (France)

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BACKSCATTERING; COMPUTER SIMULATION; ELECTRON BEAMS; GOLD; MATHEMATICAL MODELS; MONTE CARLO METHODS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SILICON;

ANGULAR ELECTRON DISTRIBUTIONS; BACKSCATTERED ELECTRONS; ENERGETIC ELECTRON DISTRIBUTIONS; INCIDENT ENERGY;

ELECTRON SCATTERING;

EID: 0031145354     PISSN: 11554320     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1051/jp3:1997168     Document Type: Article

References (24)

1. Gérard P., Balladore J.L., Pinna H., Ouabbou A. et Martinez J.P., Système de mesure de l'énergie d'électrons rétrodiffusés en fonction de l'angle d'émission, J. Phys. III France 2 (1992) 1015.
2. Gérard P., Balladore J.L., Martinez J.P. and Ouabbou A., Experimental determination of angular-energy distributions of electrons backscattered by bulk gold and silicon samples, Scanning 17 (1995) 377.
3. Seidel H., Rasterelektronenmikroskopie, L. Reimer, G. Pfefferkorn, Eds. (Springer Berlin) 38 (1977).
4. Mousseli A., Thèse Doctorat (Montpellier, 1988).
5. Seliger H., Phys. Rev. 100 (1955) 1029.
6. Makhov A.F., Sur la pénétration des électrons dans les corps solides, Sov. Phys. St. Sol. 2 (1960) 1934.
7. Soum G., Arnal F., Marais B. et Verdier P., Normalisation des courbes de répartition angulaire des électrons transmis par des feuilles minces de matière, Cr. Acad. Sci. 283 (1976) 205.
8. Thummel H.W., On the energy distribution of backscattered electrons as a function of deflection angle, Z. Phys. 179 (1964) 116.
9. Bothe W., Einige einfache Überlegungen zur Rückdiffusion schneller Elektronen, Z. Naturf 4a (1974) 542.
10. Bishop H.E., Electron scattering in thick targets, Brit. J. Appl. Phys. 18 (1967) 703.
11. Matsukawa T., Shimizu R. and Hashimoto H., Measurement of the energy distribution of backscattered kilovolt electrons with a spherical retarding field energy analyser, J. Appl. Phys. 7 (1974) 695.
12. Matsukawa T., Murata K. and Shimizu R., Investigation of electron penetration and X-ray production in solid target, Phys. Sta. Sol. (b) 55 (1973) 371.
13. Henoc J., Introduction à l'analyse des échantillons minces, J. Microsc. Spectrosc. Electro. 1 (1976) 63.
14. Henoc J., J. Microsc. 15 (1962) 289.
15. Martinez J.P. et Balladore J.L., Diffusion d'électrons de haute énergie (1,2 à 3 MeV), J. Microsc. Spectrosc. Electro. 4 (1979) 1.
16. Ouabbou A., Gérard P., Martinez J.P. et Balladore J.L., Simulation de l'énergie déposée dans un composant par un faisceau d'électrons d'énergie comprise entre 20 keV et 3 MeV, 1th Europ. Conf. on radiations effects on devices and systems (La Grande-Motte, RADECS 91, 1991) p. 534.
17. Shimizu R. and Murata K., Monte-Carlo calculations of the electron sample interactions in the scanning electon microscope, J. Appl. Phys. 12 (1971) 387.
18. Berger M.J. and Seltzer S.M., Mean energy loss of electrons in solids, N. Ac. Sci., Nat. Res. Council Publ. 1133 (1964) 205.
19. Soum G., Arnal F., Balladore J.L. and Jouffrey B., Monte-Carlo calculations on electrons multiple scattering in amorphus or polycrystalline targets, Ultramicroscopy 4 (1979) 451.
20. Soum G., Ahmed H., Arnal F., Jouffrey B. and Verdier P., Study of fast electrons backscattered from polycrystalline sample, J. Microsc. Spectrosc. Electron. 6 (1981) 107.
21. Gérard P., Martinez J.P., Balladore J.L. and Ouabbou A., Study of the energy distribution of backscattered electrons, 10th EuropCongr. on Electr. Micr. (Granada, 1992) p. 227.
22. Soum G., Ahmed H., Pinna H. et Verdier P., Transmission et rétrodiffusion d'électrons de haute énergie ; dispositif expérimental et modèles analytiques, Rev. Phys. Appl. 20 (1985) 823.
23. Ouabbou A., Thèse (Toulouse, 1993).
24. 2-Si substrate, Microelectronic Engineering 20 (1993) 255.