Photoreflectance study of the long-term stability of various surface chemical treatments on (001) n-GaAs

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 144, Issue 2, 1997, Pages 732-736

  Geisz, J F ^a,c   Safvi, S A ^a   Kuech, T F ^a,b  

^a UNIVERSITY OF WISCONSIN MADISON   (United States)

^b ELECTROCHEMICAL SOCIETY

^c NATIONAL RENEWABLE ENERGY LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC FIELD EFFECTS; ETCHING; PASSIVATION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SPECTROSCOPY; STABILITY;

FRANZ-KELDYSH OSCILLATION; PHOTOREFLECTANCE SPECTROSCOPY; PHOTOWASHING; SULFIDE PASSIVATION;

ELECTROCHEMISTRY;

EID: 0031079460     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1837476     Document Type: Article

References (27)

1. S. D. Offsey, J. M. Woodall, A. C. Warren, P. D. Kirchner, T. I. Chappell, and G. D. Pettit, Appl. Phys. Lett., 48, 475 (1986).
2. N. A. Ives, G. W. Stupian, and M. S. Leung, ibid., 50, 256 (1987).
3. C. W. Wilmsen, P. D. Kirchner, J. M. Baker, D. T. McInturff, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Vac. Sci. Technol., B6, 1180 (1988).
4. C. W. Wilmsen, P. D. Kirchner, and J. M. Woodall, J. Appl. Phys., 64, 3287 (1988).
5. P. D. Kirchner, A. C. Warren, J. M. Woodall, C. W. Wilmsen, S. L. Wright, and J. M. Baker, This Journal, 135, 1822 (1988).
6. M. S. Carpenter, M. R. Melloch, and T. E. Dungan, Appl. Phys. Lett., 53, 66 (1988).
7. M. S. Carpenter, M. R. Melloch, M. R. Lundstrom, and S. P. Tobin, ibid., 52, 2157 (1988).
8. H. Hasegawa, T. Saitoh, S. Konishi, H. Ishii, and H. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys., 27, L2177 (1988).
9. H. Shen, F. H. Pollak, and J. M. Woodall, J. Vac. Sci. Technol., B8, 413 (1990).
10. D. K. Gaskill, N. Bottka, and R. S. Sillmon, ibid., B6, 1497 (1988).
11. H. Shen and F. H. Pollak, Phys. Rev., B42, 7097 (1990).
12. F. H. Pollak and H. Shen, Mater. Sci. Eng., R10, 275 (1993).
13. R. Wang and D. Jiang, J. Appl. Phys., 72, 3826 (1992).
14. M. Cardona, Modulation Spectroscopy, Academic Press, New York (1969).
15. C. Van Hoof, K. Deneffe, J. De Boeck, D. J. Arent, and G. Borghs, Appl. Phys. Lett., 54, 608 (1989).
16. X. Yin, H.-M. Chen, F. H. Pollak, Y. Chan, and P. A. Montango, ibid., 58, 260 (1991).
17. X. Yin, H-M. Chen, F. H. Pollak, Y. Chan, P. A. Montango, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Vac. Sci. Technol., A10, 131 (1992).
18. H. Shen, M. Dutta, L. Fotiadis, P. G. Newman, R. P. Moerkirk, and W. H. Chang, Appl. Phys. Lett., 57, 2118 (1990).
19. O. J. Glembocki, J. A. Tuchman, K. K. Ko, S. W. Pang, J. A. Dagata, A. Giordana, R. Kaplan, and C. E. Stutz, Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng., 2141, 96 (1994).
20. O. J. Glembocki, J. A. Dagata, K. A. Dobisz, and D. S. Katzer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 236, 217 (1992).
21. T. F. Kuech, E. Veuhoff, and B. S. Meyerson, J. Cryst. Growth, 68, 48 (1984).
22. H. Shen, P. Parayanthal, Y. F. Liu, and F. H. Pollak, Rev. Sci. Instrum., 58, 1429 (1987).
23. N. Bottka, D. K. Gaskill, R. S. Sillmon, R. Henry, and R. Glosser, J. Electron. Mater., 17, 161 (1988).
24. D. E. Aspnes, Phys. Rev. B10, 4228 (1974).
25. B. O. Seraphin and N. Bottka, Phys. Rev., 145, 628 (1966).
26. J. F. Geisz, T. F. Kuech, and A. B. Ellis, J. Appl. Phys., 77, 1233 (1995).
27. J. F. Geisz, Ph.D. Thesis, University of Wisconsin, Madison, WI (1995).