Characteristics of N-bond structures in silicon oxide films deposited by ECR plasma CVD with a SiH4/N2O gas mixture when adding N2

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 29, Issue 3, 1996, Pages 384-391

  An, Myung Hwan ^a,b   Suh, Moon Suhk ^a   Klm, Keunjoo ^a   Youn, Chang Joo ^a   Nahm, Kee Suk ^a   Lee, Kee Bang ^a  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

^b Hanlyo University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0030551482     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (24)

1. F. Plias, B. Agius, N. Proust, S. Cassette, G. Ravel and M. Puech, Appl. Phys. Lett. 59, 837 (1991).
2. T. T. Chau, S. R. Mejia and K. C. Kao, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 50 (1991).
3. T. Fukuda, M. Ohue, N. Momma, K. Suzuki and T. Sonobe, Jpn. J. Appl. Phys. 28, 1035 (1991).
4. Y. Ma, T. Yasuda and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A11, 952 (1993).
5. A. E. T. Kuiper, H. G. Pome and P. M. Asveld, Appl. Phys. Lett. 61, 1031 (1992).
6. E. C. Carr and A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 63, 54 (1993).
7. S. Fleischer and P. T. Lai, J. Appl. Phys. 73, 8353 (1993).
8. H. Hwang, W. Ting and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 59, 1581 (1991).
9. K. F. Schuegraf and C. Hu, Semicond. Sci. Technol. 9, 989 (1994).
10. P. G. Pai, S. S. Chao and Y. Takagi, J. Vac. Sci. Technol. A4, 689 (1986).
11. G. Lucovsky, P. D. Richard, D. V. Tsu, S. Y. Lin and R. J. Markunas, J. Vac. Sci. Technol. A4, 681 (1986).
12. A. Masuda, I. Fukushi, Y. Yonezawa, T. Minamikawa, A. Morimoto, M. Kumeda and T. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 2794 (1993).
13. J. Ahn, M. Arendt, J. M. White and D. L. Kwong, Extended Abstracts of the 1992 International Conference on Solid State Device and Materials, Isukuba PD2-L11, 416 (1992).
14. S. W. Hsieh, G. Y. Chang and S. C. Hsu, J. Appl. Phys. 74, 2638 (1993).
15. Y. Okada, P. J. Tobin and R. I. Hedge, Appl. Phys. Lett. 61, 3163 (1992).
16. H. V. Boenig, Fundamentals of Plasma Chemistry and Technology (Technomic Publishing Company, Inc., U. S. A., 1988), p. 79.
17. G. Lucovsky, J. T. Fitch, D. V. Tsu and S. S. Kim, J. Vav. Sci. Technol. A7, 1136 (1989).
18. M. H. An, M. S. Suh, C. J. Youn, K. S. Nahm and K. B. Lee, New Physics 34, 547 (1994).
19. M. H. An, M. S. Suh, W. J. Yun, G. J. Youn, K. S. Nahm and K. B. Lee, Korean Appl. Phys. 8, 149 (1995).
20. M. H. An, M. S. Suh, W. J. Yun, C. J. Youn, K. S. Nahm and K. B. Lee, Korean Appl. Phys. 8, 491 (1995).
21. M. L. Green, D. Brasen, K. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman and K. Krisch, Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
22. C. R. Helms and E. H. Poindexter, Rep. Prog. Phys. 57, 791 (1994).
23. F. J. Grunthaner, P. J. Grunthaner, R. P. Vasquez, B. F. Levis and J. Maserjian, J. Vac. Sci. Technol. 16, 1443 (1979).
24. F. J. Grunthaner, B. F. Lewis, N. Zamini and J. Maserjian, IEEE Transactions on Nuclear Science NS-27, 164 (1980).