The electronic properties and applications of quantum wells and superlattices of III-V narrow gap semiconductors

Brazilian Journal of Physics

Volumn 26, Issue 1, 1996, Pages 7-20

  Stradling, R A ^a  

^a IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0030539483     PISSN: 01039733     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (62)

1. W. Walukiewicz Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol 104, 483 (1988)
2. also Phys Rev. 37, 4760 (1988).
3. C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer and J. H. English, J. Vac. Sci. Techn. B 10, 898 (1992)
4. R. G. Egdell, S. D. Evans, Y. B. Li, R. A. Stradling and S. D. Parker Surface Science 262, 444 (1992).
5. I. T. Ferguson, A. G. Norman, T. Y. Seong, R. H. Thomas, C. C. Phillips, X. M. Zhang, R. A. Stradling, B. A. Joyce and R. Booker, App. Phys. Lett. 59, 3324 (1991).
6. G. Tuttle, H. Kroemer and J. H. English, J. App. Phys. 65, 5239 (1989).
7. C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer and J. H. English, App. Phys. Lett. 60, 1854 (1992).
8. S. J. Chung, A. G. Norman, W. T. Yuen, T. Malik and R. A. Stradling to be published in Proc. of 22nd Int. Symposium on Compoumd Semiconductors.
9. T. Malik, S. Chung, J. J. Harris, A. G. Norman, R. A. Stradling, and W. T. Yuen Int Conf. on Narrow Gap Semiconductors (Santa Fe) IoP Conference Series, 144, 229 (1995).
10. M. Inoue, K. Yoh and A. Nishida, Semicond. Sci. and Techn. 9, 966 (1994);
11. also K. Yoh, H. Taniguchi, K. Kiyomi, M. Inoue and R. Sakamoto, EEE Technical Digest (IEDM 91 31.5.1) 1991.
12. S. J. Koester, C. R. Bolognisi, E. L. Hu, H. Kroemer and M J Rooks Phys Rev B 49, 8514 (1994)
13. T. J. Thomton, M. L. Roukes, A. Scherer and B. P. Van der Gaag, Phys. Rev. Lett. 63, 2128 (1989).
14. Y. B. Li, I. T. Ferguson, R. A. Stradling and R. Zallen, Semicond. Sci. and Techn. 7, 1149-54 (1992).
15. Y. B. Li, V. Tsoukala, R. A. Stradling, R. L. Williams, S. J. Chung, I. Kamiya and A. G. Norman, Semicond. Sci. and Techn. 8, 2205-2209 (1993).
16. G. Brozak, B. V. Shanabrok, D. Gammon, D. A. Broidp, R. Beresford and W. I. Wang, Phys. Rev. B 45, 11399 (1992).
17. J. Wagner, J. Schmitz, F. Fuchs, J. D. Ralston, P. Koidl and D. Richards, Phys. Rev. B51, 9786 (1995).
18. S. N. Smith, C. C. Phillips, R. H. Thomas, R. A. Stradling, B. N. Murdin and C. R. Pidgeon, Semicond. Sci. and Techn. 7, 900-906 (1992).
19. Y. B. Li, R. A. Stradling, A. G. Norman, P. J. P. Tang, S. J. Chung, and C. C. Phillips, Proc. 22nd Int Conf on Physics of Semiconductors (Vancouver) 1496-9 (1995).
20. D. Heitman, M. Ziesmann and L. L. Chang, Phys. Rev. B34, 7463 (1986).
21. E. B. Hansen and O. P. Hansen, Solid State Comm. 66, 1181 (1988).
22. C. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J. P. Kotthaus, C. R. Bolognesi, C. Nguyen, C. Tuttle, J. H. English and H. Kroemer, Semicond. Sci. and Techn. 8, S137 (1993).
23. M. J. Yang, R. J. Wagner, B. V. Shanabrook, J. R. Waterman, and W. J. Moore, Phys. Rev. B47, 6807 (1993).
24. C. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J. P. Kotthaus, C. R. Bolognesi, C. Nguyen, B. Rrar and H. Kroemer, Semicond. Sci. and Techh. 9, 1580 (1994).
25. R. J. Warburton, B. Brar, C. Gauer, A. Wixforth, J. P. Kotthaus and H. Kroemer. To appear in the Proceedings of MSS-7.
26. J. P. Cheng, J. Kono, B. D. McCombe, I. Lo and W. C. Mitchel, Proc. Int Conf on Physics of Semiconductors (Vancouver) p751 (Pub. World Scientific, 1995)
27. also Phys Rev. Lett. 74, 450 (1995).
28. J. Luo, H. Munekata, F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. B41, 7685 (1990).
29. T. P. Smith, F. F. Fang, U. Meirav and M. Heiblum, Phys. Rev. 38, 12744 (1988).
30. D. R. Leadley, R. J. Nicholas, J. J. Harris and C. T. Foxon, Semicond. Sci. and Techn. 4, 885 (1989).
31. P. T. Coleridge, Semicond. Sci. and Techn. 5, 961 (1990).
32. E. A. de Andrada e Silva, Phys. Rev. B46, 1921 (1992).
33. E. A. de Andrada e Silva, G. C. La Rocca and F. Bassini, Phys. Rev. B50, 8523 (1994).
34. B. N. Murdin, C. R. Pidgeon, A. D. Jaroszynski, C. C. Phillips, R. A. Stradling, C. M. Ciesla, R. Praseres and C. J. G. M. Langerak, Submitted to Semiconductor Science and Technology.
35. B. N. Murdin, C. R. Pidgeon, D. A. Jaroszynski, C. C. Phillips, R. A. Stradling, C. M. Ciesla, R. Praseres and G. J. G. M. Langerak Int. Conf. on Narrow Gap Semiconductors (Santa Fe) IoP Conference Series, 144, 267 (1995).
36. H. K. Choi, S. J. Eglash, App. Phys. Lett.59, 1165 (1991).
37. H. K. Choi and S. J. Eglash, App. Phys. Lett. 61, 1154 (1991).
38. H. Q. Le, G. W. Turner, S. J. Eglash, H. K. Choi and D. A. Coppeta, App. Phys. Lett. 64, 152 (1994).
39. S. J. Eglash and H. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 64, 833 (1994).
40. S. R. Kurtz, R. M. Bielfeld, L. R. Dawson, K. C. Baucom and A. J. Howard, App. Phys. Lett. 64, 812 (1994).
41. A. N. Baranov, A. N. Imentkov, V. V. Sherstnev and Y. P. Yakovlev, App. Phys. Lett. 64, 2480 (1994).
42. R. H. Miles, D. K. Chow, Y. H. Zhang, P. D. Brewer and R. G. Wilson, App. Phys. Lett. 66, 1921 (1995).
43. Y. H. Zhang, App. Phys. Lett. 66, 118 (1995)
44. also Int Conf. on Narrow Gap Semiconductors (Santa Fe) IoP Conference Series, 144, 36 (1995).
45. H. Lee, P. K. York, P. J. Menna, R. U. Martinelli, D. Z. Garbuzov, S. Y. Narayan and J. C. Connolly, App. Phys. Lett. 66, 1942 (1995).
46. P. J. P. Tang, M. J. Pullin, S. J. Chung, C. C. Phillips, R. A. Stradling, A. G. Norman, Y. B. Li and L. Hart, Semicond. Sci. and Techn. 10, 1177 (1995).
47. M. J. Pullin, P. J. P. Tang, C. C. Phillips, Y. B. Li, A. G. Norman and R. A. Stradling, Int Conf. on Narrow Gap Semiconductors (Santa Fe) IoP Conference Series, 144, 8 (1995)
48. also M. J. Pullin, P. J. P. Tang, C. C. Phillips, Y. B. Li, A. G. Norman and R. A. Stradling, SPIE Meeting on Optoelectronics (San Jose) 1995, Vol. 2397, 398.
49. C. Sitori, F. Capasso, J. Faist, D. L. Sivco, A. L. Hutchison and A. Y. Cho, App. Phys. Lett. 66, 4 (1995).
50. J. Faist, F. Capasso, C. Sitori, D. L. Sivco, A. L. Hutchison and A. Y. Cho, App. Phys. Lett. 66, 538 (1995).
51. C. Sitori, F. Capasso, J. Faist, D. L. Sivco, A. L. Hutchison and A Y. Cho, App. Phys. Lett. 66, 3242 (1995).
52. J. M. Arias, M. Zandian, R. Zucca and J. Singh, Semicond. Sci. and Techn. 8, S255 (1993).
53. H. Q. Le, A. Sanchez, J. M. Arias, M. Zandian, R. R. Zucca and Y. Z. Liu, Int Conf. on Narrow Gap Semiconductors (Santa Fe) IoP Conference Series, 144, 24 (1995).
54. Z. Shi, M. Tacke, A. Lambrecht and H. Bottner, App. Phys. Lett.66, 2537 (1995).
55. E. R. Brown, J. R. Soderstrom, C. D. Parker, L. J. Mahoney, K. M. Molvar and T. C. McGill, App. Phys. Lett. 58, 2291 (1991).
56. E. R. Brown, S. J. Eglash, G. W. Turner, C. D. Parker, J. V. Pantano and D. R. Calawa, IEEE Trans on Electron Device 41, 879 (1994).
57. J. S. Scott, J. P. Kaminski, S. J. Allen, D. H. Chow, M. Lui and T. Y. Lui, Surface Science 305, 389 (1994).
58. E. Ozbay, D. M. Bloom, D. H. Chow and J. N. Shulman, IEEE Electron Device Letters 14, 400 (1993).
59. X. Li, K. F. Logenbach, Y. Wang and W. I. Wang, EEE Electron Devices Letters 13, 192 (1992).
60. C. R. Bolognisi, E. J. Kane and H. Kroemer, IEEE Electron Devices Letters 15, 16 (1994).
61. J. R. Boos, W. Krupps, D. Park, B. V. Shanabrook and R. Bennett, Electronics Letters 30, 1983 (1994) and earlier references.
62. J. Heremans, D. L. Partin, C. M. Thrush and L. Green, Semicond. Sci. and Techn. 8, S424 (1993).