Silicon (001) surface after annealing in hydrogen ambient

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 14, Issue 5, 1996, Pages 2909-2915

  Aoyama, Takayuki ^a   Goto, Ken Ichi ^a   Yamazaki, Tatsuya ^a   Ito, Takashi ^a  

^a FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0030500239     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580244     Document Type: Article

References (37)

1. T. Aoyama, T. Yamazaki, and T. Ito, Appl. Phys. Appl. 61, 102 (1992).
2. R. Sugino, Y. Nara, H. Horie, and T. Ito, J. Appl. Phys. 76, 5498 (1994).
3. H. Shibata, Y. Suizu, S. Samata, T. Matsuno, and K. Hashimoto, 1987 IEDM Technical Digest (IEEE, Washington, DC, 1987), p. 590.
4. T. Sugii, T. Yamazaki, T. Fukano, and T. Ito, IEEE Trans. Electron Devices Lett. EDL-8, 528 (1987).
5. T. Aoyama, T. Yamazaki, and T. Ito, J. Electrochem. Soc. 140, 1704 (1993).
6. M. Suemitsu, T. Kaneko, and N. Miyamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 28, 2421 (1989).
7. T. Kaneko, M. Suemitsu, and N. Miyamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 28, 2425 (1989).
8. R. McIntosh, T. Kuan, and E. Defresart, J. Electron. Mater. 21, 57 (1992).
9. K. Fukuda, J. Murota, S. Ono, T. Matsuura, T. Hiroaki, and T. Ohmi, Appl. Phys. Lett. 59, 2853 (1991).
10. T. Yamazaki, N. Miyata, T. Aoyama, and T. Ito, J. Electrochem. Soc. 139, 1175 (1992).
11. S. Nagao, K. Higashitani, Y. Akasaka, and H. Nakata, J. Appl. Phys. 57, 4589 (1985).
12. J. O. Borland and C. I. Drowley, Solid State Techol. 28, 141 (1985).
13. S. Watanabe, N. Nakayama, and T. Ito, Appl. Phys. Lett. 59, 1458 (1991).
14. M. Grunder and H. Jacob, Appl. Phys. A 39, 73 (1986).
15. Y. J. Chabal, G. D. Higashi, K. Raghavachari, and V. A. Burrows, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2104 (1989).
16. G. D. Higashi, Y. J. Chabal, G. W. Trucks, and K. Raghavachari, Appl. Phys. Lett. 56, 656 (1990).
17. N. Yabumoto, K. Minegishi, Y. Komine, and K. Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L490 (1990).
18. Y. Kobayashi, Y. Shinoda, and K. Sugii, Jpn. J. Appl. Phys. 29, 1004 (1990).
19. A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).
20. B. S. Meyerson, F. J. Himpsel, and K. J. Uram, Appl. Phys. Lett. 57, 1034 (1990).
21. F. Hirose, M. Suemitsu, and N. Miyamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L1881 (1990).
22. M. Liehr, C. M. Greenlief, S. R. Kasi, and M. Offenberg, Appl. Phys. Lett. 56, 629 (1990).
23. T. Sakurai and H. D. Hagstrum, Phys. Rev. B 14, 1593 (1976).
24. H. Froitzhein, U. Köhler, and H. Lammering, Surf. Sci. 149, 537 (1985).
25. S. F. Shane, K. W. Kolasinski, and R. N. Zare, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 2287 (1992).
26. T. Ito, Proceedings of the International Conference on Advanced Microelectronic Devices and Processing, Sendai, Japan, 1994 (unpublished), p. 45.
27. O. Vatel, S. Verhaverbeker, H. Bender, M. Caymax, F. Chollet, B. Vermeire, P. Mertens, E. Andre, and M. Heyns, Jpn. J. Appl. Phys. 32, L1498 (1993).
28. C. H. Orner, R. K. Lewis, and S. Aumick, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 2501 (1992).
29. B. M. Rice, I. NoorBatcha, D. L. Thompson, and L. M. Raff, J. Chem. Phys. 86, 1068 (1987).
30. T. Aoyama, T. Yamazaki, and T. Ito, J. Electrochem. Soc. 140, 366 (1993).
31. R. J. Hamers, R. M. Tromp, and J. E. Demuth, Phys. Rev. B 34, 5343 (1986).
32. T. Sakamoto and G. Hashiguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 25, L78 (1986).
33. S. M. Mokler, W. K. Lie, N. Ohtani, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 59, 3411 (1991).
34. Y. J. Chabal and K. Raghavachari, Phys. Rev. Lett. 53, 282 (1984).
35. K. Sinniah, M. G. Sherman, L. B. Lewis, W. H. Weinberg, J. T. Yates, and K. C. Janda, J. Chem. Phys. 92, 5700 (1990).
36. U. Höfer, L. Li, and T. F. Heinz, Phys. Rev. B 45, 4458 (1992).
37. P. Bratu and U. Höfer, Phys. Rev. Lett. 74, 1625 (1995).