Investigation of deep levels in ZnSe:Cl films grown by molecular beam epitaxy

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 14, Issue 4, 1996, Pages 2269-2274

  Hernandez L ^a,b   De Melo, O ^a,b   Melendez Lira M ^a   Rivera Alvarez, Z ^a   Hernandez Calderon I ^a  

^a DEPARTAMENTO DE FÍSICA   (Mexico)

^b UNIVERSITY OF HAVANA   (Cuba)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0030493030     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580059     Document Type: Article

References (23)

1. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. DePuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991); H. Jeon, J. Ding, A. V. Nurmiko, H. Luo, N. Samarth, and J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. Lett. 59, 1293 (1991).
2. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. DePuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991); H. Jeon, J. Ding, A. V. Nurmiko, H. Luo, N. Samarth, and J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. Lett. 59, 1293 (1991).
3. W. Xie, D. C. Grillo, R. L. Gunshor, M. Kobayashi, G. C. Hua, N. Olsuka, H. Jeon, J. Ding, and V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 60, 463 (1992).
4. J. Reichow, J. Griesche, N. Hoffman, C. Muggelberg, H. Rossman, L. Wilde, F. Henneberger, and K. Jacobs, J. Cryst. Growth 131, 277 (1993).
5. G. Karczewski, B. Hu, A. Yin, H. Luo, and J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. 75, 7382 (1994).
6. M. Pessa and D. Ahn, II-VI Semiconductor Compounds (World Scientific, Singapore, 1993), p. 461.
7. B. Hu, G. Karczewski, H. Luo, N. Samarth, and J. K. Furdyna, Phys. Rev. B 47, 9641 (1993).
8. M. Vaziri, R. Reifenberger, R. L. Gunshor, L. A. Kolodziejski, S. Venkatesan, and R. F. Pierret, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 253 (1989).
9. B. I. Skromme, S. M. Shibili, J. L. de Miguel, and M. C. Tamargo, J. Appl. Phys. 65, 3999 (1989).
10. J. Ren, K. A. Bowers, S. Hwang, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, J. Cryst. Growth 111, 772 (1991).
11. J. M. DePuydt, H. Cheng, J. E. Potts, T. L. Smith, and S. K. Mahapatra, J. Appl. Phys. 62, 4756 (1987).
12. F. T. J. Smith, Solid State Commun. 7, 1757 (1969).
13. K. Igaki and S. Satoh, Jpn. J. Appl. Phys. 18, 1965 (1979).
14. P. J. Dean, Czech. J. Phys. B 30, 272 (1980).
15. Y. Shirakawa and H. Kukimoto, J. Appl. Phys. 51, 5859 (1980).
16. A. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 690 (1995).
17. M. Heuken, J. Söllner, F. E. G. Guimarães, K. Marquardt, and K. Heime, Appl. Phys. Lett. 60, 1694 (1992), and references therein.
18. P. Besomi and B. W. Wessels, J. Appl. Phys. 53, 3076 (1982).
19. K. Ohkawa, T. Mitsuya, and O. Yamazaki, J. Appl. Phys. 62, 3216 (1987).
20. C. H. Henry and D. V. Lang, Phys. Rev. B 15, 989 (1977).
21. N. V. Agrinskaya and T. V. Mashovets, Semiconductors 28, 843 (1994).
22. B. Hu, G. Karczewski, H. Luo, U. Bindley, and J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. 77, 2026 (1995).
23. C. G. Van de Walle, J. Lumin. 52, 1 (1992).