Negative VBE shift due to base dopant outdiffusion in DHBT

Solid-State Electronics

Volumn 39, Issue 9, 1996, Pages 1305-1310

  Borgarino, M ^a   Paorici, F ^a   Fantini, F ^a  

^a UNIVERSITY OF PARMA   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BERYLLIUM; COMPUTER SIMULATION; DIFFUSION; ENERGY GAP; EPITAXIAL GROWTH; PHASE SHIFT; STABILITY;

ATOMIC LAYER EPITAXY; COLLECTOR CURRENT; DRIFT DIFFUSION; LIGHT ELECTRICAL STRESS; OUT DIFFUSION; PARASITIC RESISTANCES; SEMICONDUCTOR PARAMETER ANALYZER;

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS;

EID: 0030243576     PISSN: 00381101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/0038-1101(96)00041-X     Document Type: Review

References (31)

1. F. Alexandre, J. L. Benchimol, P. Launay, J. Dangla and C. Dubon-Chevallier, Solid-St. Electron. 38, 1667 (1995).
2. S. Koumetz, J. Marcon, K. Ketata, M. Ketata, P. Launay and J. L. Benchimol, Proc. ESSDERC 1995 (Edited by H. C. de Graaff and H. van Kranenburg), Edition Frontieres, p. 699 (1995).
3. K. Mochizuki, T. Nakamura, T. Tanque and H. Masuda, Solid-St. Electron. 38, 1619 (1995).
4. J. Dangla, J. L. Benchimol, F. Alexandre, H. Sik and C. Dubon-Chevallier, Electron. Lett. 29, 903 (1993).
5. R. A. Metzeger, M. Hafizi, W. E. Stanchina, T. Liu, R. G. Wilson and L. G. McCray, Appl. Phys. Lett. 63, 1360 (1993).
6. D. L. Miller and P. M. Asbeck, J. Appl. Phys. 57, 1816 (1985).
7. J. N. Miller, D. M. Collins and N. J. Moll, Appl. Phys. Lett. 46, 960 (1985).
8. S. Tanaka, H. Shimawaki, K. Kasahara and K. Honjo, IEEE Trans. Electron. Devices 40, 1194 (1993).
9. M. Hafizi, R. A. Metzger and W. E. Stanchina, Appl. Phys. Lett. 63, 93 (1993).
10. M. Hafizi, W. E. Stanchina, R. A. Metzger, J. F. Jensen and F. Williams, IEEE Trans. Electron. Devices 40, 2178 (1993).
11. K. Mochizuki, S. Isomae, H. Masuda, T. Tanoue and C. Kusano, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 751 (1992).
12. F. Ren, T. R. Fullowan, J. Lothian, P. W. Wisk, C. R. Abernathy, R. F. Kopf, A. B. Emerson, S. W. Downey and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 59, 3613 (1991).
13. H. Ito, Jpn. J. Appl. Phys. 25, 1400 (1986).
14. N. Jourdan, F. Alexandre, C. Dubon-Chevallier, J. Dangla and Y. Gao, IEEE Trans. Electron. Devices 39, 767 (1994).
15. K. Mochizuki, S. Goto, T. Mishima and C. Kusano, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 3495 (1992).
16. K. Ikossi-Anastasiou, IEEE Trans. Electron. Devices 40, 878 (1993).
17. K. Fricke, H. L. Hartnagel, W.-Y. Lee and J. Wurfl, IEEE Trans. Electron. Devices 39, 1977 (1992).
18. P. R. Berger, N. Chand and N. K. Dutta, Appl. Phys. Lett. 59, 1099 (1991).
19. S. S. Lu and C. C. Huang, Electron. Lett. 28, 398 (1992).
20. S. Tanaka, K. Kasahara, H. Shimawaki and K. Honjo, IEEE Electron Device Lett. EDL-13, 560 (1992).
21. T. Ahmad, A. A. Rezazadeh and S. S. Gill, Electron. Lett. 29, 1725 (1993).
22. J. Dangla, C. Dubon-Chevallier, M. Filoche and R. Azoulay, Electron. Lett. 26, 1061 (1990).
23. M. Hafizi, R. A. Metzger, W. E. Stanchina, D. B. Rensch, J. F. Jensen and W. Hooper, IEEE Electron Device Lett. EDL-13, 140 (1992).
24. K. Zhang, D.-W. Wu, J. Fu and D. L. Miller, Appl. Phys. Lett. 63, 809 (1993).
25. K. Zhang, S. S. Bose, D. L. Miller and N. Pan, J. Electron. Mater. 12, 187 (1992).
26. M. Madella, A. Bosacchi, S. Franchi, P. Allegri and V. Avanzini, J. Cryst. Growth 127, 270 (1993).
27. M. Uematsu and K. Wada, Appl. Phys. Lett. 58, 2015 (1991).
28. S. Nozaki, K. Saito, J. Shirakashi, M. Qi, T. Yamada, E. Tokumitsu, M. Konagai, K. Takahashi and K. Matsumoto, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 3840 (1991).
29. F. Ren, C. R. Abernathy, S. N. G. Chu, J. R. Lothian and S. J. Paerton, Solid-St. Electron. 38, 1137 (1995).
30. S. R. Bahl, L. H. Camnitz, D. Houng, M. Mierzwinski, J. Turner and D. Lefforge, Int. Electronic Device Meeting - Tech. Digest, Washington DC, p. 815 (1995).
31. U. Westergreten and B. Willen, IEEE Trans. Electron. Devices 39, 1056 (1992).