Solid source molecular beam epitaxy of low threshold 1.55 μm wavelength GalnAs/GalnAsP/lnP semiconductor lasers

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 14, Issue 4, 1996, Pages 2753-2756

  Johnson, F G ^a  

^a LABORATORY FOR PHYSICAL SCIENCES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; FABRICATION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM PHOSPHIDE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; X RAY CRYSTALLOGRAPHY;

BEAM EQUIVALENT PRESSURE; GALLIUM INDIUM ARSENIC PHOSPHIDE; GALLIUM INDIUM ARSENIDE; ION GAUGE; SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 0030196283     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (20)

1. C. Starck, J. Y. Emery, R. J. Simes, M. Matabon, L. Goldstein, and J. Barrau, J. Cryst. Growth 120, 180 (1992).
2. W. T. Tsang, F. S. Choa, M. C. Wu, Y. K. Chen, A. M. Sergent, and P. F. Sciortino, Jr., Appl. Phys. Lett. 58, 2610 (1991).
3. A. Ougazzaden, J. D. Ganiere, Y. Gao, E. V. K. Rao, B. Sermage, C. Kazmierski, and A. Mircea, J. Cryst. Growth 107, 761 (1991).
4. H. Temkin, T. Tanbun-Ek, R. A. Logan, J. A. Lewis, and N. K. Dutta, Appl. Phys. Lett. 56, 1222 (1990).
5. S. Osinski, P. Grodzinski, Y. Zou, and P. D. Dapkus, IEEE J. Quantum Electron. 29, 1576 (1993).
6. N. Yamamoto, K. Yokoyama, T. Yamanaka, and M. Yamamoto, Electron. Lett. 30, 243 (1994).
7. D. L. Miller, S. S. Bose, and G. J. Sullivan, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 311 (1987).
8. G. W. Wicks, M. W. Koch, J. A. Varriano, F. G. Johnson, C. R. Wie, H. M. Kim, and P. Colombo, Appl. Phys. Lett. 59, 342 (1991).
9. F. G. Johnson and G. W. Wicks, Appl. Phys. Lett. 63, 2402 (1993).
10. J. N. Baillargeon, A. Y. Cho, F. A. Thiel, R. J. Fischer, P. J. Pearah, and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 65, 207 (1994).
11. M. Toivonen, A. Salokatve, M. Jalonen, J. Nappi, H. Asonen, M. Pessa, and R. Murison, Electron. Lett. 31, 797 (1995).
12. P. J. A. Thijs, L. F. Tiemeijer, P. I. Kuindersma, J. J. M. Binsma, and T. Van Dongen, IEEE J. Quantum Electron. 27, 1426 (1991).
13. W. E. Hoke, D. G. Weir, P. J. Lemonias, H. T. Hendriks, G. S. Jackson, and P. Colombo, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 733 (1995).
14. J. A. McClintock, R. A. Wilson, and N. E. Byer, J. Vac. Sci. Technol. 20, 241 (1982).
15. C. C. Wamsley, M. W. Koch, and G. W. Wicks, J. Vac. Sci. Technol B (to be published).
16. M. S. Skolnick, K. J. Nash, M. K. Saker, S. J. Bass, P. A. Claxton, and J. S. Roberts, Appl. Phys. Lett. 50, 1885 (1987).
17. K. H. Goetz, D. Bimberg, H. Jurgensen, J. Selders, A. V. Solomonov, G. F. Glinskii, and M. Razeghi, J. Appl. Phys. 54, 4543 (1983).
18. Bede Scientific, computer code RADS, Bede Scientific, Durham, UK.
19. T. Sudersena Rao, C. Lacelle, S. J. Rolfe, M. Dion, J. Thompson, P. Marshall, P. Chow-Chong, D. Ross, M. Davies, and A. P. Roth, Appl. Phys. Lett. 65, 1015 (1994).
20. C. E. C. Wood, D. Desimone, K. Singer, and G. W. Wicks, J. Appl. Phys. 53, 4230 (1982).