Kinetics of CFX (x = 1-3) radicals and electrons in RF CF4-H2, CHF3-H2 and CHF3-O2 plasmas

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 35, Issue 7, 1996, Pages 4088-4095

  Maruyama, Koji ^a   Ohkouchi, Katsunori ^a   Goto, Toshio ^a  

^a NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

CF; CF3CF2; Electron density; Infrared diode laser absorption spectroscopy; Microwave interferometry; Radical density; RF etching plasma

Indexed keywords

ABSORPTION SPECTROSCOPY; CARRIER CONCENTRATION; CONTROL; EXPERIMENTS; FILMS; FLUOROCARBONS; KINETIC THEORY;

ELECTRON DENSITY; INFRARED DIODE LASER ABSORPTION SPECTROSCOPY; MICROWAVE INTERFEROMETRY; RADICAL DENSITY;

PLASMA ETCHING;

EID: 0030195446     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.35.4088     Document Type: Article

References (34)

1. R. A. H. Heinecke: Solid State Electron. 18 (1975) 1146.
2. H. W. Lehmann and R. Widmer: Appl. Phys. Lett. 32 (1978) 163.
3. L. M. Ephrath: J. Electrochem. Soc. 126 (1979) 1419.
4. D. L. Flamm and V. M. Donnelly: Plasma Chem. Plasma Proc. 1 (1981) 317.
5. C. J. Mogab, A. C. Adams and D. L. Flamm: J. Appl. Phys. 49 (1978) 3796.
6. H. Kawata, T. Shibano, K. Murata and K. Nagami: J. Appl. Phys. 54 (1983) 2720.
7. P. E. Riley and D. A. Hanson: J. Vac. Sci. Technol. B7 (1989) 1352.
8. J. W. Coburn and M. Chen: J. Appl. Phys. 51 (1980) 3134.
9. G. Hancock, J. P. Sucksmith and M. J. Toogood: J. Phys. Chem. 94 (1990) 3269.
10. L. D. B. Kiss, J. P. Nicolai, W. T. Conner and H. H. Sawin: J. Appl. Phys. 71 (1992) 3186.
11. P. J. Hargis, Jr. and M. J. Kushner: Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 779.
12. K. Ninomiya, K. Suzuki, S. Nishimatsu and O. Okada: J. Vac. Sci. Technol. A 4 (1986) 1791.
13. Y. Matsumi, S. Toyoda, T. Hayashi, M. Miyamura, H. Yoshikawa and S. Komiya: J. Appl. Phys. 60 (1986) 4102.
14. S. G. Hansen, G. Luckman and S. D. Colson: Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 1588.
15. J. P. Booth, G. Hancock, N. D. Perry and M. J. Toogood: J. Appl. Phys. 66 (1989) 5251.
16. J. P. Booth, G. Hancock and N. D. Perry: Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 318.
17. S. G. Hansen, G. Luckman, G. C. Nieman and S. D. Colson: J. Vac. Sci. Technol. B 8 (1990) 128.
18. J. Wormhoudt: J. Vac. Sci. Technol. A 8 (1990) 1722.
19. K. Maruyama, A. Sakai and T. Goto: J. Phys. D 26 (1993) 199.
20. K. Maruyama, K. Ohkouchi, Y. Ohtsu and T. Goto: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 4298.
21. K. Takahashi, M. Hori, K. Maruyama, S. Kishimoto and T. Goto: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L694.
22. H. C. Sun, V. Patel, E. A. Whittaker, B. Singh and J. H. Thomas III: J. Vac. Sci. Technol. A 11 (1993) 1193.
23. M. Haverlag, E. Stoffels, W. W. Stoffels, G. M. W. Kroesen and F. J. de Hoog: J. Vac. Sci. Technol. A 12 (1994) 3102.
24. M. Magane, N. Itabashi, N. Nishiwaki, T. Goto, C. Yamada and E. Hirota: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L829.
25. Y. Hikosaka, H. Toyoda and H. Sugai: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L353.
26. C. P. Tsai and D. L. McFadden: J. Phys. Chem. 93 (1989) 2471.
27. Y. Hikosaka, H. Toyoda and H. Sugai: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L690.
28. M. Haverlag, A. Kono, D. Passchier, G. M. W. Kroesen, W. J. Goedheer and F. J. de Hoog: J. Appl. Phys. 70 (1991) 3472.
29. T. Arai, M. Goto, Y. Asoh, D. Takayama and T. Shimizu: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L1469.
30. C. Ma, M. R. Bruce and R. A. Bonham: Phys. Rev. A 44 (1991) 44.
31. I. R. Cowling and J. Fletcher: J. Phys. B 6 (1973) 665.
32. J. L. Jauberteau, G. J. Meeusen, M. Haverlag, G. M. W. Kroesen and F. J. de Hoog: J. Phys. D 24 (1991) 261.
33. M. Goto, K. Nakamura, H. Toyoda and H. Sugai: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 3602.
34. T. D. Märk: J. Chem. Phys. 63 (1975) 3731.