Epitaxial C49-TiSi2 formation on (100)Si substrate using TiNx and its electrical characteristics as a shallow contact metallization

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 143, Issue 6, 1996, Pages 1984-1991

  Byun, Jeong Soo ^a  

^a Hynix Semiconductor Inc   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ATOMS; CRYSTAL MICROSTRUCTURE; ELECTRIC PROPERTIES; EPITAXIAL GROWTH; INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURE; NITROGEN; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

BILAYERED STRUCTURE; NITRIDATION; RAPID THERMAL ANNEALING; SHALLOW CONTACT METALLIZATION; TITANIUM DISILICIDE;

TITANIUM ALLOYS;

EID: 0030164197     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1836936     Document Type: Article

References (26)

1. T. Maeda, T. Nakayama, S. Shima, and J. Matsunaga, IEEE Trans. Electron Devices, ED-34, 599 (1987).
2. M. L. Polignano and N. Circelli, J. Appl. Phys., 68, 1869 (1990).
3. R. T. Tung, Phys. Rev. Lett., 52, 461 (1984).
4. L. J. Chen, W. Y. Hsieh, J. H. Lin, T. L. Lee, J. F. Chen, J. M. Liang, and M. H. Wang, MRS Symp. Proc., 320, 343 (1994).
5. K. N. Tu and J. W. Mayer, in Thin Film-Interdiffusion and Reactions, J. M. Poate, K. N. Tu, and J. W. Mayer, Editors, p. 359, Wiley, New York (1978).
6. I. J. M. M. Raaijmarker and K. B. Kim, J. Appl. Phys., 67, 6255 (1990).
7. H. R. Liauh, M. C. Chen, J. F. Chen, and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett., 61, 2167 (1992).
8. H. R. Liauh, M. C. Chen, J. F. Chen, and L. J. Chen, J. Appl. Phys., 74, 2590 (1993).
9. T. Yoshida, H. Kawahara, and S. Ogawa, Symp. IEEE Int. Rel. Phys. Symp., p. 344, IEEE (1991).
10. T. Yoshida, H. Kawahara, and S. Ogawa, J. Appl. Phys., 76, 5272 (1994).
11. J. S. Byun, K. G. Rha, J. J. Kim, W. S. Kim, H. N. Kim, H. S. Cho, and H. J. Kim, ibid., 78, 1719 (1995).
12. S. M. Hu, ibid., 45, 1567 (1974).
13. E. Bauser and H. Strunk, MRS Symp. Proc., 10, 189 (1981).
14. S. T. Lakshmikumar and A. C. Rastogi, J. Vac. Sci. Technol., B7, 604 (1989).
15. R. Beyers and R. Sinclair, J. Appl. Phys., 57, 5240 (1985).
16. R. M. Vadjikar, R. P. Roberge, and T. G. Wolfe, This Journal, 135, 582 (1988).
17. A. E. Morgan, E. K. Broadbend, K. N. Ritz, D. K. Sanada, and B. J. Burrow, J. Appl. Phys., 64, 344 (1988).
18. M. M. Farahani, S. Garg, and B. T. Moore, This Journal, 141, 479 (1994).
19. J. Nulman, B. Cohen, and K. Ngan, VMIC Conference, p. 312, Santa Clara, CA (1991).
20. Y. S. Liu, C. Y. Wu, and H. C. Cheng, IEEE Trans. Electron Devices, ED-39, 1835 (1992).
21. J. Y. Cheng and L. J. Chen, J. Appl. Phys., 69, 2161 (1991).
22. L. J. Chen, W. Y. Hsieh, J. H. Lin, T. L. Lee, J. F. Chen, J. M. Liang, and M. H. Wang, MRS Symp. Proc., 320, 343 (1994).
23. M. Ronay, Appl. Phys. Lett., 42, 577 (1983).
24. T. C. Chou, C. Y. Wong, and K. N. Tu, J. Appl. Phys., 62, 2275 (1987).
25. S. P. Murarka and D. S. Williams, J. Vac. Sci. Technol., B5, 1674 (1987).
26. K. Maex, R. F. De Keersmaecker, G. Ghosh, L. Delaey, and V. Probst, J. Appl. Phys., 66, 5327 (1989).