GaAs surface chemical passivation by (NH4)2S + Se and the effect of annealing treatments

Solid-State Electronics

Volumn 39, Issue 4 SPEC. ISS., 1996, Pages 507-510

  Belkouch, S ^c   Aktik, C ^c   Xu, H ^a   Ameziane, E L ^b  

^a ÉCOLE POLYTECHNIQUE DE MONTRÉAL   (Canada)

^b FACULTÉ DES SCIENCES SEMLALIA   (Morocco)

^c NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; PROTECTIVE COATINGS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING SELENIUM; SURFACES; THERMAL EFFECTS;

FERMI LEVEL; SURFACE STATE DENSITY;

PASSIVATION;

EID: 0030129844     PISSN: 00381101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/0038-1101(95)00190-5     Document Type: Article

References (24)

1. J.-F. Fan, H. Oigawa and Y. Nannichi, Jpn J. Appl. Phys. 27, L2125 (1988).
2. C. J. Sandroff, R. N. Nottenburg, J. C. Bishoff and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987).
3. E. Yablonovitch, C. J. Sandroff, R. Bhat and T. Gmitter, Appl. Phys. Lett. 51, 439 (1987).
4. M. S. Carpenter, M. R. Melloch and T. E. Dungan, Appl. Phys. Lett. 53, 66 (1988).
5. J. Fan, Y. Kurata and Y. Nannichi, Jpn J. Appl. Phys. 28, 2255 (1989).
6. M. S. Carpenter, M. R. Melloch, B. A. Cowans, Z. Dardas and W. N. Delgass, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 845 (1989).
7. P. G. Neudeck, M. S. Carpenter, M. R. Melloch and J. A. Cooper, IEEE Electron Device Lett. 12, 553 (1991).
8. J.-L. Lee, D. Kim, S. J. Maeng, H. H. Park, J. Y. Kang and Y. T. Lee, J. appl. Phys. 73, 3539 (1993).
9. C. J. Sandroff, M. S. Hegde, L. A. Farrow, R. Bhat, J. P. Harbison and C. C. Chang, J. appl. Phys. 67, 586 (1990).
10. B. A. Kuruvilla, S. V. Ghaisas, A. Datta, S. Banerjee and S. K. Kulkarni, J. appl. Phys. 73, 4384 (1993).
11. B. I. Sysoev, V. D. Strygin, G. I. Kotov, E. N. Nevrueva and A. P. Domashevskaya, Phys. Stat. Sol. A 129, 207 (1992).
12. G. Eftekhari, Phys. Stat. Sol. A 139, k77 (1993).
13. S. A. Chambers and V. S. Sundaram, Appl. Phys. Lett. 57, 2342 (1990).
14. C. J. Spindt, D. Lui, K. Miyano, P. L. Meissner, T. T. Chiang, T. Kendelewicz, I. Lindau and W. E. Spicer, Appl. Phys. Lett. 55, 861 (1989).
15. A. Raisanen, I. M. Vitomirov, L. J. Brillson, P. D. Kirchner, G. D. Petit and J. M. Woodal, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1106 (1993).
16. R. Van de Wall, R. L. Van Meirhaeghe, W. L. Laflère and F. Cardon, J. appl. Phys. 74, 1885 (1993).
17. K. M. Geib, J. Shin and C. W. Wilmsen, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 838 (1990).
18. W. I. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 574 (1983).
19. H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Sihgekawa and Y. Nannichi, J. appl. Phys. 69, 4349 (1991).
20. H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa and Y. Nannichi, J. Vac. Technol. A 11, 52 (1993).
21. A. M. Green and W. E. Spicer, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1061 (1993).
22. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 34, 630 (1979).
23. F. S. Turco, C. J. Sandroff, M. S. Hedge and M. C. Tamargo, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 856 (1990).
24. T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, R. Berrigan and M. Oshima, Appl. Phys. Lett. 62, 1667 (1993).