Influence of domain size on optical properties of ordered GaInP2

Journal of Applied Physics

Volumn 79, Issue 5, 1996, Pages 2633-2639

  Ernst, P ^a,c   Geng, C ^a   Hahn, G ^a   Scholz, F ^a   Schweizer, H ^a   Phillipp, F ^b   Mascarenhas, A ^c  

^a UNIVERSITY OF STUTTGART   (Germany)

^b Haus 16   (Germany)

^c NATIONAL RENEWABLE ENERGY LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON DIFFRACTION; EMISSION SPECTROSCOPY; ENERGY GAP; LOW TEMPERATURE OPERATIONS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MICROSTRUCTURE; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; THERMAL EFFECTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

BAND-BAND RECOMBINATION; DARK FIELD IMAGES; DOMAIN SIZE; EXCITATION SPECTRA; GALLIUM INDIUM PHOSPHIDE; TRANSMISSION ELECTRON DIFFRACTION;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0030105725     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.361099     Document Type: Article

References (38)

1. Y. Ueno, H. Fuji, K. Kobayashi, K. Endo, A. Gomyo, K. Hara, S. Kawata, T. Yuasa, and T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L1666 (1990).
2. K. Itaya, M. Ishikawa, G. Hatakoshi, and Y. Uematsu, IEEE J. Quantum Electron. QE-27, 1496 (1991).
3. G. G. Forstmann, F. Barth, H. Schweizer, M. Moser, C. Geng, F. Scholz, and E. P. O'Reilly, Semicond. Sci. Technol. 9, 1268 (1994).
4. D. J. Friedman, S. R. Kurtz, K. A. Bertness, A. E. Kibbler, C. Kramer, J. M. Olson, D. L. King, B. R. Hansen, and J. K. Snyder, Prog. Photovolt. Res. Appl. 3, 47 (1995).
5. A. Zunger and S. Mahajan, in Handbook on Semiconductors, edited by T. S. Moss and S. Mahajan (Elsevier, Amsterdam, 1994), Vol. 3, p. 1399.
6. S.-H. Wei and A. Zunger, Phys. Rev. B 39, 3279 (1989).
7. S.-H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 56, 662 (1990).
8. S.-H. Wei and A. Zunger, Phys. Rev. B 49, 14 337 (1994).
9. A. Mascarenhas, S. Kurtz, A. Kibbler, and J. M. Olson, Phys. Rev. Lett. 63, 2108 (1989).
10. D. J. Mowbray, R. A. Hogg, M. S. Skolnick, M. C. DeLong, S. R. Kurtz, and J. M. Olson, Phys. Rev. B 46, 7232 (1992).
11. T. Kanata, M. Nishimoto, H. Nakayama, and T. Nishino, Phys. Rev. B 45, 6637 (1992).
12. G. S. Horner, A. Mascarenhas, R. G. Alonso, D. J. Friedman, K. Sinha, K. A. Bertness, J. G. Zhu, and J. M. Olson, Phys. Rev. B 48, 4944 (1993).
13. R. G. Alonso, A. Mascarenhas, S. Froyen, G. S. Horner, K. Bertness, and J. M. Olson, Solid State Commun. 85, 1021 (1993).
14. P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, H. Schweizer, Y. Zhang, and A. Mascarenhas, Appl. Phys. Lett. 67, 2347 (1995).
15. M. Kondow and S. Minagawa, Appl. Phys. Lett. 54, 1760 (1989).
16. J. E. Fouquet, V. M. Robbins, J. Rosner, and O. Blum, Appl. Phys. Lett. 57, 1566 (1990).
17. M. C. DeLong, W. D. Ohlsen, I. Viohl, P. C. Taylor, and J. M. Olson, J. Appl. Phys. 70, 2780 (1991).
18. M. C. DeLong, D. J. Mowbray, R. A. Hogg, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, J. P. R. David, P. C. Taylor, S. R. Kurtz, and J. M. Olson, J. Appl. Phys. 73, 5163 (1993).
19. F. A. J. M. Driessen, G. J. Bauhuis, S. M. Olsthoorn, and L. J. Giling, Phys. Rev. B 48, 7889 (1993).
20. P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer, Phys. Status Solidi B (to be published).
21. J. Chevallier and A. Laugier, Phys. Status Solidi A 8, 437 (1971).
22. E. Zacks and A. Halperin, Phys. Rev. B 6, 3072 (1972).
23. M. Kondow, H. Kakibayashi, and S. Minegawa, J. Cryst. Growth 88, 291 (1988).
24. P. Bellon, J. P. Chevalier, E. Augarde, J. P. André, and G. P. Martin, J. Appl. Phys. 66, 2388 (1989).
25. L. C. Su, I. H. Ho, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 75, 5135 (1994).
26. L. C. Su, I. H. Ho, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 76, 3520 (1994).
27. D. M. Follstaedt, R. P. Schneider, Jr., and E. D. Jones, J. Appl. Phys. 77, 3077 (1995).
28. J. Hommel, F. Schneider, M. Moser, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer, Microelectron. Eng. 23, 349 (1994).
29. G. S. Horner, A. Mascarenhas, R. G. Alonso, S. Froyen, K. A. Bertness, and J. M. Olson, Phys. Rev. B 49, 1727 (1994).
30. K. Sinha, A. Mascarenhas, G. S. Horner, K. A. Bertness, S. R. Kurtz, and J. M. Olson, Phys. Rev. B 50, 7509 (1994).
31. R. P. Schneider, Jr., E. D. Jones, and D. M. Follstaedt, Appl. Phys. Lett. 65, 587 (1994).
32. E. D. Jones, D. M. Follstaedt, H. Lee, J. S. Nelson, and R. P. Schneider, Jr., in 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by D. J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1995).
33. J. E. Fouquet, M. S. Minsky, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 63, 3212 (1993).
34. C. Geng, P. Ernst, D. Haase, G. Hahn, F. Phillipp, A. Dörnen, H. Schweizer, and F. Scholz, in 6th European Workshop on MOVPE, Gent, Belgium, 1995.
35. K. A. Mäder and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 64, 2882 (1994).
36. K. A. Mäder and A. Zunger, Phys. Rev. B 51, 10 462 (1995).
37. C. S. Baxter, W. M. Stobbs, and J. H. Wilkie, J. Cryst. Growth 112, 373 (1991).
38. F. A. J. M. Driessen, G. J. Bauhuis, P. R. Hageman, A. van Geelen, and L. J. Giling, Phys. Rev. B 50, 17 105 (1994).