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Volumn 19, Issue 1, 1996, Pages 51-60

Hydrogen in semiconductors

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CHEMICAL BONDS; ELECTRONIC PROPERTIES; ENERGY GAP; HYDROGEN; INTERFACES (MATERIALS); PASSIVATION; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 0030080855     PISSN: 02504707     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/BF02744787     Document Type: Article
Times cited : (15)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.