Optical strength of semiconductor laser materials

Progress in Quantum Electronics

Volumn 20, Issue 1, 1996, Pages 1-82

  Eliseev, P G ^a,b  

^a UNIVERSITY OF NEW MEXICO   (United States)

^b LEBEDEV PHYSICAL INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC MATERIALS; MIRRORS; OPTICAL PROPERTIES; OPTIMIZATION; PERFORMANCE; QUANTUM WELL LASERS; RELIABILITY; SEMICONDUCTOR DEVICE MODELS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR MATERIALS; STRENGTH OF MATERIALS; SURFACES;

EXTERNAL ILLUMINATION; INTERFERENCE COATING; LASER MIRROR FACET HEATING; MICROEXPLOSION; OPTICAL DAMAGE; OPTICAL STRENGTH; SURFACE DEGRADATION; SURFACE RECOMBINATION VELOCITY; THERMAL MECHANISM; WINDOW LAYER LASERS;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 0029759066     PISSN: 00796727     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/0079-6727(95)00002-X     Document Type: Review

References (302)

1. P. G. Eliseev, J. Luminesc. 7, 338-342 (1973).
2. P. G. Eliseev, Itogi Nauki i Tekhniki (Radiotekhnika) 14, Pt. 2, VINITI, Moscow (1978).
3. H. C. Casey, Jr. and M. B. Panish, Heterostructure Lasers, pp. 277-313, Academic Press, NY, SF, London (1978).
4. H. Kressel and J. K. Butler, In: Semicond. and Semimetals, pp. 65-194, R. K. Willardson and A. C. Beer (eds) (1979).
5. (a) H. F. Lockwood and H. Kressel (not published, as cited in 4).
6. P. G. Eliseev, Sov. J. Quant. Electron. 16, 1151-1165 (1986).
7. P. G. Eliseev, Reliability Problems of Semiconductor Lasers, Nova Sci. Publ., Inc., New York (1991).
8. M. Fukuda, Reliability and Degradation of Semiconductor Lasers and LEDs, Artech House, Boston MA (1991).
9. B. Mroziewicz, M. Bugaiski and W. Nakwaski, Physics of Semiconductor Lasers, N.Holl.-PWN, Amsterdam e.a., (1991).
10. R. G. Waters, Progr. Quant. Electron. 15, no 3, 153-174 (1992).
11. J. C. Miller and R. F. Haglund, Jr., Laser Ablation. Mechanism and Applications, Springer-Verlag, Berlin e.a, (1991).
12. L. L. Chase, A. Hamza and H. W. H. Lee, In: Laser Ablation. Mechanisms and Applications, 193-202, J. C. Miller and R. F. Haglund, Jr. (eds), Springer-Verlag. Berlin e.a., (1991).
13. L. L. Chase, A. Hamza and H. W. H. Lee, In: Laser Ablation. Mechanisms and Applications, pp. 193-202, J. C. Miller and R. F. Haglund, Jr. (eds) Springer-Verlag, Berlin e.a., (1991).
14. J. M. Poate and J. M. Mayer, Laser Annealing of Semiconductors, Acad. Press, New York, (1982).
15. M. Bertolotti, In: Physical Processes in Laser-Material Interactions, pp. 175-219, M. Bertolotti (ed.), Plenum Press, New York, London, (1983).
16. R. K. Willardson and A. C. Beer, In: Semicond. and Semimetals, p. 23 (1984).
17. R. Y. Chiao, C. H. Townes and B. P. Stoicheff, Phys. Rev. Letts. 12, no 21, 592-595 (1964).
18. D. H. Harper, Brit. J. Appl. Phys. 16, pt. 1, 751-752 (1965).
19. F. Bunkin and A. M. Prokhorov, ZhETF 48, 1084 (1965).
20. A. A. Grinberg, R. F. Mekhtiev, S. M. Ryvkin, M. Salmanov and I. D. Yaroshetski, Sov. Phys. - Solid State 9, no 5, 1085-1090 (1967).
21. M. Bertolotti, F. de Pasquale, P. Marietti, D. Sette and G. Vitali, J. Appl. Phys. 38, no 10, 4088-4089 (1967).
22. N. G. Basov, A. Z. Grasyuk, F. Efimkov, I. G. Zubarev, A. Katulin and Yu. M. Popov J. Phys. Soc. Japan, Suppl. 27, 277-282 (1966).
23. Yu. Afanas'ev and O. N. Krokhin, Sov. Phys. JETP 25, no 4, 639-645 (1967).
24. D. Olness, J. Appl. Phys. 39, no 1, 6-8 (1968).
25. A. J. Glass and A. H. Guenther, Appl. Opt. 11, no 4, 832 (1972).
26. Y. Matsuoka, J. Phys. D 9, no 2, 215-224 (1976).
27. S. K. Gulati and W. W. Granemann, Techn. Rep. No EE-245(77) AFOSR-379-1, Albuquerque, UNM (1977).
28. R. M. Wood, Laser Damage in Optical Materials, A. Hilger (ed.), Bristol, Boston (1986).
29. A. A. Manenkov, In: Laser Induced Damage in Optical Materials: 1988, NIST Spec. Publ. 775, 486-501 (1989).
30. R. L. Johnson and J. D. O'Keefe, Appl. Opt. 11, no 12, 2926-2932 (1972).
31. A. K. Ghosh, RCA Rev. 35, no 2, 279-319 (1974).
32. V. S. Bagaev, Yu. N. Berozashvili, S. Ivanov, B. D. Kopylovski and Yu. N. Korol'ov, Pribory i Tekhnika Eksperimenta no 4, 185 (1966).
33. D. P. Cooper, C. H. Gooch and R. J. Sherwell, IEEE J. Quant. Electron. 2, no 8, 329 (1966).
34. C. S. Dobson and F. S. Keeble, In: Gallium Arsenide, Pros. Symp., 1966, London, 68-71 (1967).
35. H. Kressel and H. Mierop J. Appl. Phys. 38, 5419 (1967).
36. H. Kressel, IEEE J. Quant. Electron. 4, 176 (1968).
37. H. Kressel and I. Ladany, RCA Rev. 36, 230-239 (1975).
38. Yu. I. Kruzhilin, I. Shveikin, N. Antonov and Yu. I. Koloskov, Proc. IX Internat. Conf. on Physics of Semicond., Moscow, 1968, Nauka, Leningrad, 1, 573-576 (1969).
39. H. R. Wittmann and J. L. Smith, Phys. stat. solidi 1a, 279 (1970).
40. D. A. Shaw and P. R. Thornton, Solid-State Electron. 13, no 7, 919-924 (1970).
41. A. Z. Grasyuk and I. G. Zubarev, Sov. Phys. - Semicond. 3, no 5, 577-579 (1969).
42. V. Arsent'ev, Ya. T. Vasil'ev, S. Dneprovski and U. Khattatov, Sov. Phys. - Semicond. 5, no 3, 354-358 (1971).
43. D. C. Hanna, B. Luther-Davies, H. N. Rutt, R. C. Smith and C. R. Stanley, IEEE J. Quant. Electron. 8, no 3, 317 (1972).
44. J. L. Smith, In: Laser Induced Damage in Optical Materials: 1972, NBS Spec. Publ. 372, 70-74 (1973).
45. C. L. Sam, Appl. Opt. 12, no 4, 878-879 (1973).
46. V. I. Kovalev, M. A. Musaev and F. S. Faizullov, Sov. J. Quant. Electron. 14, no 5, 668-670 (1984).
47. V. I. Kovalev, Proc. SPIE 1441, 536-540 (1990).
48. J. R. Meyer, F. J. Bartoli and M. R. Kreuer, Phys. Rev. B 21, 1559-1568 (1980).
49. L. L. Chase and H. W. H. Lee, In: Laser-Induced Damage in Optical Materials: 1988, NIST Spec. Publ., no 775, 455-461 (1989).
50. S. E. Watkins, C.-E. Zhang, R. M. Walser and M. F. Becker, In: Laser Induced Damage in Optical Materials, NIST Spec. Publ. 775, 288-310 (1988).
51. G. D. Henshall, Solid-State Electron. 20, no 7, 595-602 (1977).
52. G. D. Henshall, Appl. Phys. Lett. 31, no 3, 205-207 (1977).
53. M. Ettenberg, H. S. Sommers, Jr., H. Kressel and H. F. Lockwood, Appl. Phys. Lett. 18, no 12, 571-574 (1971).
54. I. Ladany, M. Ettenberg, H. F. Lockwood and H. Kressel, Appl. Phys. Letts. 30, 87-88 (1977).
55. P. A. Kirkby and G. H. B. Thompson, Appl. Phys. Lett. 22, no 12, 638-640 (1973).
56. H. Imai, M. Morimoto, H. Sudo, T. Fujiwara and M. Takusagawa, Appl. Phys. Letts. 33, no 12, 1011-1013 (1978).
57. M. J. Soileau, E. W. Van Stryland and W. E. Williams, Proc. SPIE 541, 110-122 (1985).
58. L. M. Blinov, S. Vavilov and G. N. Galkin, Sov. Phys. - Semicond. 1, no 10, 1124-1129 (1967).
59. M. Birnbaum and T. L. Stocker, J. Appl. Phys. 39, no 13, 6032-6036 (1968).
60. P. G. Eliseev and M. A. Man'ko, ZhTF 36, no 12, 2213-2214 (1966).
61. I. H. Campbell and P. M. Fauchet, Appl. Phys.Lett. 57, no 1, 10-12 (1990).
62. J. F. Kauffman and G. L. Richmond, Appl. Phys.Lett. 59, no 5, 561-563 (1991).
63. I. A. Fersman and L. D. Khasov, Sov. J. Quant. Electron. 2, no 4, 319-323 (1973).
64. A. L. Huang, M. F. Becker and R. M. Walser, In: Laser Induced Damage in Optical Materials: 1985, NBS Spec. Publ. 746, 191-202 (1986).
65. L. L. Chase and L. K. Smith, In: Laser-Induced Damage in Optical Materials: 1987, NIST Spec. Publ. 756, Washington, D.C., p.167 (1988).
66. J. L. Smith and G. A. Tanton, Appl. Phys. 4, 313-315 (1974).
67. Yu. K. Danileiko, A. A. Manenkov and A. Sidorin, In: Laser Induced Damage in Optical Materials: 1978, NBS Spec. Publ. 541, 305-308 (1979).
68. J. L. Smith, In: Laser Induced Damage in Optical Materials: 1973, NBS Spec. Publ. 387, 103-106 (1974).
69. C. H. Henry, P. M. Petroff, R. A. Logan and F. R. Merritt, J. Appl. Phys. 50, no 5, 3721-3732 (1979).
70. O. Ueda, H. Imai, T. Kotani, K. Wakita and H. Saito, J. Appl.Phys. 50, no 11, 6643-6648 (1979).
71. H. Yonezu, K. Endo, T. Kamejima, T. Torikai, T. Yuasa and T. Furuse, J. Appl. Phys. 50, 5150-5157 (1979).
72. T. Kamejima and H. Yonezu, Jpn. J. Appl. Phys. 19, Suppl., 425-429 (1980).
73. W. Both, G. Erbert, A. Klehr, R. Rimpler, G. Stadermann and U. Zeimer, IEE Proc., J 134, no 1, 95-103 (1987).
74. V. I. Borodulin, G. M. Malyavkina, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. P. Chernousov, B. I. Shveikin and I. Yashumov, Sov. J. Quant. Electron. 2, no 3, 294-296 (1972).
75. B. W. Hakki and F. R. Nash, J. Appl. Phys. 45, no 9, 3907-3912 (1974).
76. H. Yonezu, M. Ueno, T. Kamejima and I. Hayashi, IEEE J. Quant. Electron. 15, 775-781 (1979).
77. K. Wakao, N. Takagi, K. Shima, K. Hanamatsu, K. Hori and M. Takusagawa, Appl. Phys. Lett. 41, no 12, 1113-1115 (1982).
78. T. Kajimura, T. Kuroda, S. Yamashita, H. Todoroki, M. Nakamura, K. Mizuishi and J. Umeda, Appl. Phys. Lett. 35, 928-930 (1979).
79. T. Kajimura, K. Saito, N. Shuge and R. Ito, Jpn. J. Appl. Phys. 18, 693-694 (1979).
80. M. Ueno, IEEE J. Quant. Electron. 17, no 10, 2113-2122 (1981).
81. K. Shinozaki, A. Watanabe, R. Furukawa and N. Watanabe, J. Appl. Phys. 65, no 8, 2907-2911 (1989).
82. J. S. Yoo, S. H. Lee, G. T. Park, Y. T. Ko and T. Kim, J. Appl. Phys. 75, no 3, 1840-1842 (1994).
83. H. Yonezu, I. Sakuma, T. Kamejima, M. Ueno, K. Iwamoto, I. Hino and I. Hayashi, Appl. Phys. Letts. 34, no 10, 637-639 (1979).
84. J. Ungar, N. Bar-Chaim, M. Mazed, M. Mittelstein, S. Oh and I. Ury, Electron. Lett. 26, no 18, 1441-1442 (1990).
85. H. Blauvert, S. Margalit and A. Yariv, Appl. Phys. Lett. 40, no 12, 1029-1031 (1982).
86. D. Botez and J. C. Connolly, Electron. Letts. 20, no 13, 530-532 (1984).
87. H. Shimizu, Proc. SPIE 1043, 75-80 (1989).
88. H. Naito, M. Kume, K. Hamada, H. Shimizu and G. Kano, IEEE J. Quant. Electron. 25, no 6, 1495-1499 (1989).
89. F. R. Gfeller, P. Buchmann, P. W. Epperlein, H. P. Meier and J. P. Reithmaier, J. Appl. Phys. 72, no 6, 2131-2135 (1992).
90. H. Naito, M. Kume, K. Hamada, H. Shimizu, M. Kazumura, G. Kano and I. Teramoto, IEEE J. Quant. Electron. 27, no 6, 1550-1554 (1991).
91. Y. Ueno, H. Fujii, K. Kobayashi, K. Endo, A. Gomyo, K. Hara, S. Kawata, T. Yuasa and T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L1666-L1668 (1990).
92. Y. Ueno, K. Endo, H. Fujii, K. Kobayashi, K. Hara and T. Yuasa, Electron. Lett. 26, 1726-1728 (1990).
93. K. Itaya, M. Ishikawa, G. Hatakoshi and Y. Uematsu, IEEE J. Quant. Electron. 27, 1496-1500 (1991).
94. S. A. Pashko and E. B. Yunevich, Puslaidininkiniu Lazeriu Fizika. Abstr. Republ. Conf. on Physics of Semicond. Lasers, Vilnius, 1989, Vilniaus Uni., 95-96 (1989).
95. M. Nido, K. Endo, S. Ishikawa, M. Uchida, I. Komazaki, K. Hara and T. Yuasa, Electron. Lett. 25, no 4, 277-278 (1989).
96. H. Jaeckel, G.-L. Bona, P. Buchmann, H. P. Meier, P. Vettinger, W. J. Kozlowski and W. Lenth, IEEE J. Quant. Electron. 27, 1560-1567 (1991).
97. T. Hayakawa, K. Matsumoto, M. Morishima, M. Nagai, H. Horie, Y. Ishigame, A. Isoyama and Y. Niwata, Appl. Phys. Lett. 63, no 13, 1718-1720 (1993).
98. E. I. Davydova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, G. T. Pak, V. Popovichev, S. E. Khlopotin and A. Shishkin, Kvant. Elektronika 19, no 10, 1024-1031 (1992).
99. S. L. Yellen, R. G. Waters, A. H. Shephard, J. A. Baumann and R. J. Dalby, IEEE Photon. Technol. Lett. 4, no 8, 829-831 (1992).
100. T. Takeshita, M. Okayasu and S. Uehara, Jpn. J. Appl. Phys. 30, no 6, 1220-1224 (1991).
101. P. G. Eliseev and G. T. Mikaelian, Kvant. Electronika, to be published (1995).
102. Z. L. Liau, S. C. Palmaster, S. H. Groves, J. N. Walpole and L. J. Missaggia, Appl. Phys. Lett. 60, no 1, 6-8 (1992).
103. T. M. Cockerill, D. Forbes, J. J. Coleman, K. J. Beernink, R. F. Murison and A. H. Moore, Proc. SPIE 1850, 140-144 (1993).
104. H. Fujii, Y. Ueno and K. Endo, Appl. Phys. Lett. 62, no 17, 2114-2115 (1993).
105. K. Nitta, M. Okajima, Y. Nishikawa, K. Itaya and G. Hatakoshi, Electron. Lett. 28, no 11, 1069-1070 (1992).
106. O. Ueda, H. Imai, A. Yamagichi, S. Komiya, I. Umebu and T. Kotani, J. Appl. Phys. 55, no 3, 665-669 (1984).
107. Y. Kawai and T. Yamada, Electron. Lett. 26, no 1, 53-55 (1990).
108. Y. Nakano, K. Takahei, Y. Noguchi, Y. Suzuki, H. Nagai and K. Nawata, Electron. Lett. 17, no 21, 782-783 (1981).
109. D. Z. Garbuzov, N. Yu. Antonishkis, A. D. Bondarev, A. B. Gulakov, S. N. Zhigulin, N. I. Kasavets, A. Kochergin and E. Rafailov, IEEE J. Quant. Electron. 27, 1531-1536 (1991).
110. D. Z. Garbuzov, N. I. Kasavets, A. Kochergin and B. Khalfin, In: Joint Sov.-Amer. Workshop Phys. Semicond. Lasers, May 20-June 3, 1991, Leningrad, AIP Conf. Proc. 240, 6-11 (1991).
111. D. Z. Garbuzov, N. Y. Antonishkis, N. D. Il'inskaya, S. N. Zhigulin, N. I. Kasavets, A. Kochergin, Z. Pyataev and M. Fuksman, 13th IEEE Int. Semicond. Laser Conf., Sept. 1992, Takamatsu, Japan, 224-225 (1992).
112. M. Sagawa, T. Toyonaka, K. Hiramoto, K. Shinoda and K. Uomi, 14th IEEE Int. Semicond. Laser Conf., Sept. 1994, Maui, Hawaii, 255-256 (1994).
113. H. Asonen, J. Nappi, A. Ovtchinnikov, P. Savolainen, G. Zhang, R. Ries and M. Pessa, IEEE Photon. Technol. Lett. 5, no 6, 589-591 (1993).
114. J. Nappi, A. Ovtchinnikov, H. Asonen, P. Savolainen and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 64, no 17, 2203-2205 (1994).
115. E. C. Vail, S. F. Lim, Y. A. Wu, D. A. Francis, C. J. Chang-Hasnain, R. Bhat and C. Caneau, Appl. Phys. Lett. 63, no 16, 2183-2185 (1993).
116. S. L. Yellen, R. G. Waters, A. H. Shephard, J. A. Baumann and R. J. Dalby, IEEE Photon. Technol. Lett. 4, no 8, 829-831 (1992).
117. R. G. Waters, D. P. Bour, S. L. Yellen and N. F. Ruggieri, IEEE Photon. Technol. Lett. 2, no 8, 531-533 (1990).
118. P. A. Kirkby, IEEE J. Quant. Electron. 11, no 7, 562-568 (1975).
119. P. W. Epperlein, G.-L. Bona and P. Roentgen, Appl. Phys. Lett. 60, no 6, 680-682 (1991).
120. M. K. Antoshin, E. M. Krasavina, I. Kryukova, B. I. Sluev and G. Spivak, Kvant. Elektronika 2, no 9, 1969-1977 (1975).
121. E. M. Krasavina and I. Kryukova, Kvant. Elektronika. 3, no 11, 2475-2477 (1976).
122. O. G. Grigor'ev, I. Gridneva, E. M. Krasavina, I. Kryukova, Yu. Mil'man and S. I. Chugunova, Kvant. Elektronika. 2, no 5, 1058-1062 (1975).
123. O. Bogdankevich, N. N. Kostin, E. M. Krasavina, I. Kryukova, E. Markov, E. Matveenko and A. Teplitski, Izvestia AN SSSR, Neorgan. Mat. 23, no 10, 1618-1622 (1987).
124. E. P. Bochkarev, A. G. Braginskaya and G. P. Kolchina, Pis'ma ZhTF, 7 no 23, 1455-1458 (1981).
125. I. Akimova, A. E. Drakin, P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov and B. N. Sverdlov, Kvant. Elektronika 14, 204 (1987).
126. H. Temkin, S. Mahajan, M. A. DiGiuseppe and A. G. Dentai, Appl. Phys. Lett. 40, no 7, 562-565 (1982).
127. S. L. Yellen, A. H. Shepard, R. J. Dalby, J. A. Baumann, H. B. Serreze, T. S. Guido, R. Soltz, K. J. Bystrom, C. M. Harding and R. G. Waters, IEEE J. Quant. Electron. 29, no 6, 2058-2067, 1993.
128. A. Moser, E.-E. Latta and D. J. Webb, Appl. Phys. Lett. 55, 1152-1154 (1989).
129. A. Moser, Appl. Phys. Lett. 59, 522-524 (1991).
130. A. Moser and E. E. Latta, J. Appl. Phys. 71, no 10, 4848-4853 (1992).
131. K. J. Beernink, P. K. York, J. J. Coleman, R. G. Waters, J. Kim and C. M. Wayman, Appl. Phys. Lett. 55, 2167-2169 (1989).
132. K. Fukagaki, S. Ishikawa, K. Endo and T. Yuasa, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L371-373 (1991).
133. M. Fukuda, M. Okayasu, J. Temmyo and J.-I. Nakano, IEEE J. Quant. Electron. 30, no 2, 471-476 (1994).
134. A. Moser, A. Oosenbrug, E.-E. Latta, T. Forster and M. Gasser, Appl. Phys. Lett. 59, 2642-2644 (1991).
135. M. Fukuda and K. Wakita, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 1969-1974 (1980).
136. T. Fukushima, A. Furuya, M. Sugano, Y. Kito, H. Sudo, C. Anayama, M. Kondo and T. Tanashashi, Jpn. Soc. Appl. Phys. Related Soc. (in Japanese), no 3, 1044 (1993).
137. A. Jakubowicz, A. Oosenbrug and T. Forster, Appl. Phys. Lett. 63, no 9, 1185-1187 (1993).
138. M. Uematsu, K. Wada and U. Goesele, Appl.Phys. A55, no 4, 301-312 (1992).
139. M. Okayasu, M. Fukuda, T. Takeshita, S. Uehara and K. Kuromada, J. Appl. Phys. 69, 8346-8351 (1991).
140. M. Okayasu and M. Fukuda, J. Appl. Phys. 72, 2119-2124 (1992).
141. See 70.
142. A. Jakubowicz, J. Appl. Phys. 74, no 11, 6488-6494 (1993).
143. A. M. Mansanares, J. P. Roger, D. Fournier and A. C. Boccara, Appl. Phys. Lett. 64, no 1, 4-6 (1994).
144. F. P. Dabkowski, A. K. Chin, P. Gavrilowic, S. Alie and D. M. Beyea, Appl. Phys. Lett. 64, no 1, 13-15 (1994).
145. W. C. Tang, E. H. Altendorf, H. J. Rosen, D. J. Webb and P. Vettinger, Electron. Lett. 30, no 2, 143-145 (1994).
146. T. Hayakawa, S. Yamamoto, T. Sakurai and T. Hijikata, J. Appl. Phys. 52, no 10, 6068-6073 (1981).
147. J. A. F. Peek, IEEE J. Quant. Electron. 17, 781-787 (1981).
148. F. A. Houle, D. L. Neiman, W. C. Tang and H. J. Rosen, J. Appl. Phys. 72, no 9, 3884-3896 (1992).
149. D. M. Hwang, L. DeChiaro, M. C. Wang, P. S. Lin, C. E. Zah, S. Ovadia, T. P. Lee, D. Darby, Y. A. Tkachenko and J. C. M. Hwang, In: IEEE Internat. Reliab. Phys. Proc., 32nd Annual, 466-469 (1994).
150. O. D. Knab, I. Magalyas, A. S. Logginov and A. S. Astaf'ev, Sov. Physics - Solid State, 8, no 9, 2207-2208 (1967). Also: Fiz. Tverd. Tela 8, no 9, 2768-2769 (1967).
151. O. D. Knab, I. Magalyas, A. S. Logginov and A. S. Astaf'ev, Sov. Physics - Solid State, 8, no 9, 2207-2208 (1967). Also: Fiz. Tverd. Tela 8, no 9, 2768-2769 (1967).
152. T. Kobayashi, T. Kawakami and Y. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 14, no 4, 508-515 (1975).
153. T. Kobayashi, Y. Seki and Y. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 14, no 4, 516-520 (1975).
154. T. Kobayashi and Y. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 14, no 12, 1981-1986 (1975).
155. S. Todoroki, M. Sawai and K. Aiki, J. Appl. Phys. 58, no 3, 1124-1128 (1985).
156. H. Brugger, P. W. Epperlein, S. Beeck and G. Abstreiter, Inst. Phys. Conf. Ser. No 106, Ch. 10, 771-776 (1989).
157. H. Brugger and P. W. Epperlein, Appl. Phys. Lett. 56, no 11, 1049-1051 (1990).
158. P. W. Epperlein and O. J. F. Martin, Inst. Phys. Conf. Ser. No 120, Ch. 7, 353-358 (1991).
159. P.W. Epperlein, Inst. Phys. Conf. Ser. No 112, Ch.8, 633-638 (1990).
160. P. W. Epperlein, Jpn. J. Appl. Phys. 32, Pt.1, no 12A, 5514-5522 (1993).
161. P. W. Epperlein and G.-L. Bona, Techn. Digest Ser. 11, 478 (1993).
162. P. W. Epperlein, P. Buchmann and A. Jakubowicz, Appl. Phys. Lett. 62, no 5, 455-457 (1993).
163. P. W. Epperlein and G.-L. Bona, Appl. Phys. Lett. 62, no 24, 3074-3076 (1993).
164. W. C. Tang, H. J. Rosen, P. Vettinger and D. J. Webb, Appl. Phys. Lett. 60, no 9, 1043-1045 (1992).
165. N. I. Kasavets, D. Z. Garbuzov, T. A. Grishina, I. E. Kudrik and P. Pitkianen, Proc. SPIE 2148, 152-156 (1994).
166. M. Bertolotti, G. Liakhou, R. Li Voti, R. P. Wang, C. Sibilia and P. Yakovlev, J. Appl. Phys. 74, no 12, 7054-7060 (1993).
167. M. Morimoto and M. Takusagawa, J. Appl. Phys. 53, no 6, 4028-4037 (1982).
168. F. R. Gfeller and D. J. Webb, J. Appl. Phys. 68, 14-20 (1990).
169. T. Yuasa, M. Ogawa, K. Endo and H. Yonezu, Appl. Phys. Lett. 32, no 2, 119-121 (1978).
170. see 145.
171. S. Todoroki, J. Appl. Phys. 60, no 1, 61-65 (1986).
172. S. Todoroki, S. Sawai and K. Aiki, J. Appl. Phys. 58, no 3, 1124-1128 (1985).
173. W. C. Tang, H. J. Rosen, P. Vettinger and D. J. Webb, Appl. Phys. Lett. 58, no 6, 557-559 (1991).
174. N. F. Pilipetski, Yu. P. Raizer and A. Upadyshev, ZhETF 54, no 4, 1064-1066 (1968).
175. E. W. Van Stryland, H. Vanherzeele, M. A. Woodall, M. J. Soileau, A. Smirl, S. Guha and T. F. Boggess, In: Laser Induced Damage in Optical Materials: 1984, NBS Spec. Publ. 727, 404-423 (1985).
176. I. A. Fersman, L. D. Khazov and G. P. Tikhomirov, Sov. J. Quant. Electron. 1, no 3, 248-251 (1971).
177. A. F. Stewart and M. Bass, In: Physical Processes in Laser-Material Interactions, pp. 367-375, M. Bertolotti (ed.), Plenum Press, N.Y., London, (1983).
178. R. P. Benedict and A. H. Guenther, In: Laser Induced Damage in Optical Materials: 1975, NBS Spec. Publ. 435, 389-393 (1976).
179. L. Keldysh, Sov. Phys. - JETP 20, 1307 (1965).
180. J. R. Meyer, M. R. Kruer and F. J. Bartoli, J. Appl. Phys. 51, no 10, 5513-5522 (1980).
181. J. O. Porteus, In: Laser Induced Damage in Optical Materials: 1988, NIST Spec. Publ. 775, 440-461 (1989).
182. A. Wasserman, Appl. Phys. Lett. 10, 132 (1967).
183. A. G. Molchanov, Fiz. Tverd. Tela 12, 954-956 (1970).
184. M. Bass and H. H. Barnett, IEEE J. Quant. Electron. 8, no 2, 812-819 (1972).
185. N. Bloembergen, Appl. Opt. 12, 661 (1973).
186. A. S. Epifanov, A. A. Manenkov and A. M. Prokhorov, Pis'ma ZhETF. 21, no 8, 483-486 (1975).
187. A. S. Epifanov, IEEE J. Quant. Electron. 17, no 10, 2018-2022 (1981).
188. A. Butenin and B. Ya. Kogan, Kvant. Elektronika. 5, 143 (1971).
189. N. M. Kroll, J. Appl. Phys. 36, 34 (1965).
190. I. I. Ashmarin, Yu. A. Bykovski, A. Gridin, F. Elesin, A. I. Larkin and I. P. Sipailo, Kvant. Elektronika. 6, 126 (1971).
191. Yu. N. Lokhov, S. Mospanov and Yu. D. Fiveiski, Sov. J. Quant. Electron. 1, no 3, 252-255 (1971).
192. M. D. Crisp, N. L. Boling and G. Dube, Appl. Phys. Lett. 21, 364 (1972).
193. A. Oosenbrug and E. E. Latta, IEEE LEOS Conference - Boston Oct/Nov 1994.
194. S. N. Stolyarov, Sov. J. Quant. Electron. 18, no 8, 1021-1025 (1988). Also: Kvant. Elektronika 15, no 8, 1637-1642 (1988).
195. S. N. Stolyarov, Sov. J. Quant. Electron. 18, no 8, 1021-1025 (1988). Also: Kvant. Elektronika 15, no 8, 1637-1642 (1988).
196. P. K. Dubey and V. Paranjape, Phys. Rev. B 8, no 4, 1514-1522 (1973).
197. A. J. Glass and A. G. Guenther, Appl. Opt. 12, no 4, 637-649 (1973).
198. M. F. Becker, R. M. Walser, Y. K. Jhee and D. Y. Sheng, Proc. SPIE 322, 93-98 (1982).
199. C. J. Duthler, Appl. Phys. Lett. 24, no 1, 5 (1974).
200. G. I. Barenblat, N. N. Vsevolodov, L. I. Mirkin, N. F. Pilipetski and Yu. P. Raizer, Pis'ma ZhETF 5, no 3, 85 (1967).
201. M. F. Koldunov, A. A. Manenkov and I. L. Pokatilo, In: Laser Induced Damage in Optical Materials: 1988, NIST Spec. Publ. 775, 390-397 (1989).
202. E. S. Bliss, Opto-Electronics 3, 99 (1971).
203. I. P. Dobrovol'skii and A. A. Uglov, Sov. J. Quant. Electron. 4, 788-790 (1974).
204. M. Bertolotti and C. Sibilia, IEEE J. Quant. Electron. 17, no 10, 1980-1988 (1981).
205. M. Bass, In: Physical Processes in Laser-Material Interactions, pp. 77-115, M. Bertolotti (ed.), Plenum Press, N.Y., London, (1983).
206. D. A. Frank-Kamenetski, Diffusion and Heat Transport in Chemical Kinetics (in Russian). AN SSSR, Moscow (1947).
207. A. G. Merzhanov, Teplo- i Massoperenos, (Nauka i Tekhnika, Minsk) 4, 259-272 (1966).
208. See Ref. 6, Chapter 6.
209. R. W. H. Engelmann and D. Kerps, 8th IEEE Int. Semicond. Laser Conf., Ottawa, Canada, 13-15 Sept. 1982, 26-27 (1982).
210. W. Nakwaski, J. Appl. Phys. 57, no 7, 2424-2430 (1985).
211. W. Nakwaski, Opt. and Quant. Electron. 21, 331-334 (1989).
212. W. Nakwaski, J. Appl. Phys. 67, no 4, 1659-1668 (1990).
213. F. Kappeler, K. Mettler and K.-H. Zschauer, IEE Proc. 129, Pt. 1, no 6, 256-261 (1982).
214. J. S. Yoo, H. H. Lee and P. S. Zory, IEEE J. Quant. Electron. 28, no 3, 635-639 (1992).
215. J. S. Yoo, S. Fang and H. H. Lee, J. Appl. Phys. 74, no 11, 6503-6510 (1993).
216. H. H. Lee, IEEE J. Quant. Electron. 29, no 10, 2619-2624 (1993).
217. R. Schatz and C. G. Bethea, J. Appl. Phys. 76, no 4, 2509-2521 (1994).
218. G. Chen and C. L. Tien, J. Appl. Phys. 74, no 4, 2167-2174 (1993).
219. P. G. Eliseev and A. E. Drakin, Kvant. Elektron. (to be published, 1995).
220. W. C. Tang, H. J. Rosen, P. Vettinger and D. J. Webb, Appl. Phys. Letts. 59, no 9, 1005-1007 (1991).
221. N. N. Ablyazov, D. Z. Garbuzov and B. Khalfin, Sov. J. Quant. Electron. 20, no 11, 1320-1323 (1990). Transl, of: Kvantovaya Elektronika, Moskva 17, no 11, 1411-1414 (1990).
222. N. N. Ablyazov, D. Z. Garbuzov and B. Khalfin, Sov. J. Quant. Electron. 20, no 11, 1320-1323 (1990). Transl, of: Kvantovaya Elektronika, Moskva 17, no 11, 1411-1414 (1990).
223. D. B. Wittry and D. F. Kyser, J. Phys. Soc. Japan., Suppl. 21, 312-318 (1966).
224. C. A. Hoffman, H. J. Gerritzen and A. W. Nurmikko, J. Appl. Phys., 51, 1603-1604 (1980).
225. J. M. Olson, R. K. Ahrenkiel, D. J. Dunlavy, B. Keyes and A. E. Kibbler, Appl. Phys. Lett. 55, no 12, 1208-1210 (1989).
226. R. K. Ahrenkiel, In: Properties of InP, IEE-Inspec, London, N.Y., EMIS Datareview Ser. 6, 80-81 (1991).
227. H. H. Wieder, In: Properties of Lattice Matched and Strained Indium Gallium Arsenide, pp. 137-144, P. Bhattachariya (ed.), IEE-Inspec, London, N.Y., (1993).
228. K. Mettler, Appl. Phys. 12, no 1, 75-82 (1977).
229. C. H. Henry, R. A. Logan and F. R. Merritt, J. Appl. Phys. 49, 3530 (1978).
230. R. J. Nelson and R. G. Sobers, J. Appl. Phys. 49, no 12, 6103-6108 (1978).
231. R. Hollingsworth and J. Site, J. Appl. Phys. 53, no 7, 357-358 (1982).
232. D. E. Apsnes, Surf. Sci. 132, 406-421 (1983).
233. H. H. Lee and L. Figueroa, J. Electrochem. Soc. 135, no 2, 496-499 (1988).
234. J. Cole and H. H. Lee, IEEE J. Quant. Electron. 29, no 2, 322-326 (1993).
235. I. L. Fabelinski, Molecular Scattering of Light, Plenum Press, N.Y. (1968).
236. H. Asonen, J. Nappi, A. Ovtchinnikov, P. Savolainen, G. Zhang, R. Ries and M. Pessa, IEEE Photon. Technol. Lett. 5, no 6, 589-591 (1993).
237. H. Asonen, A. Ovtchinnikov, G. Zhang, J. Nappi, P. Savolainen and M. Pessa, IEEE J. Quant. Electron. 30, no 2, 415-423 (1994).
238. C.-E. Zah, R. Bhat, B. N. Pathak, F. Favire, W. Lin, M. C. Wang, N. C. Andreadakis, D. M. Hwang, M. A. Koza, T.-P. Lee, Zh. Wang, D. Darby, D. Flanders and J. J. Hsieh, IEEE J. Quant. Electron. 30, no 2, 511-523 (1994).
239. A. Furuya, M. Sugano, Y. Kito, T. Fukushima, H. Sudo, C. Anayama, M. Kondo and T. Tanahashi, Electron. Lett. 29, no 15, 1364-1366 (1993).
240. G. Hatakoshi, K. Nitta, K. Itaya, Y. Nishikawa, M. Ishikawa and M. Okajima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 (Regular Papers and Short Notes), 31, no 2B, 501-507 (1992).
241. F. Gfeller, P. Buchmann, P. W. Epperlein, H. P. Meier and J. P. Reithmaier, Conf. Digest, 13th IEEE Int. Semicond. Laser Conf., Sept. 21-25, 1992, Takamatsu, Japan, 222-223 (1992).
242. A. A. Borodkin, N. Penkin, A. Smirnov and E. I. Ivanova, Puslaidininkiniu Lazeriu Fizika. Abstr. Republ. Conf. on Physics of Semicond. Lasers, Vilnius, 1989, Vilniaus Uni., 93-94 (1989).
243. M. Passlack, E. F. Schubert, W. S. Hobson, M. Hong, N. Moriya, S. N. G. Chu, K. Kostadinis, J. P. Mannaerts, M. L. Schnoes and G. J. Zydzik, J. Appl. Phys. 77, no 2, 686-693 (1995).
244. D. J. Webb, M. Benedict, G. L. Bona, P. Buchmann, K. Daetwyler, H. P. Dietrich, A. Moser, G. Sasso, P. Vettiger and O. Voegeli, Proc. SPIE 1418, 231-239 (1991).
245. D. J. Webb, M. K. Benedict, G.-L. Bona, P. Buchmann, N. Cahoon, K. Datwyler, H. P. Dietrich, A. Moser, G. Sasso, H. K. Seitz and P. Vettiger, AIP Conference Proc. no 227, 146-149 (1991).
246. H. Kawanishi, H. Ohno, T. Morimoto, S. Kaneiwa, N. Miyauchi, H. Hayashi, Y. Akagi, Y. Nakajima and T. Hijikata, Proc. SPIE 1219, 309-316 (1990).
247. H. Kawanishi, H. Ohno, M. Matsumoto, K. Sasaki, M. Kondo, Y. Akagi, S. Yamamoto, Y. Nakajima and T. Hijikata, Sharp Techn. Journ. no 44, 26-30 (1990).
248. S. Kamiyama, Y. Mori, Y. Takahashi and K. Ohnaka, Appl. Phys. Letts. 58, no 23, 2595-2597 (1991).
249. J. S. Yoo, H. H. Lee and P. S. Zory, IEEE Photon. Technol. Lett. 3, 202 (1991).
250. J. S. Herman and F. L. Terry, Jr., Appl.Phys. Lett. 60, no 6, 716-717 (1992).
251. J. F. Geisz, T. F. Kuech and A. B. Ellis, J. Appl. Phys. 77, no 3, 1233-1240 (1995).
252. I. P. Koutzarov, H. E. Ruda, C. H. Edirisinghe, L. Z. Jedral, Q. Liu, A. Moore, R. Henderson, M. Boudreau, M. Boumerzoug and P. Mascher, In: Photonics West '95 Symp., San-Jose, 4-10 Febr. 1995, Pap. 2382-04 (1995).
253. A. M. Morozyuk, G. T. Pak, V. Popovichev, S. E. Khlopotin and A. Shishkin, Puslaidininkiniu Lazeriu Fizika. Abstr. Republ. Conf. on Physics of Semicond. Lasers, Vilnius, 1989, Vilniaus Uni., 97-98 (1989).
254. Yu. Medvedev, Appl. Phys. Lett. 64, no 25, 3458-3460 (1994).
255. H. Yonezu, I. Sakuma, T. Kamejima, M. Ueno, K. Iwamoto, I. Hino and I. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 34, no 10, 637-639 (1979).
256. V. Dmitriev, G. T. Pak, V. Popovichev, S. E. Khlopotin, A. Shishkin and I. Shveikin, Puslaidininkiniu Lazeriu Fizika. Abstr. Republ. Conf. on Physics of Semicond. Lasers, Vilnius, 1989, Vilniaus Uni., 65-66 (1989).
257. K. Sasaki, M. Matsumoto, M. Kondo, T. Ishizumi, T. Takeoka, S. Yamamoto and T. Hijikata, Jpn. J. Appl. Phys. 30, no 5B, L907-L909 (1991).
258. M. Watanabe, K. Tani, K. Sasaki, H. Nakatsu, M. Hosoda, S. Matsui, O. Yamamoto and S. Yamamoto, Conf. Digest, 14th IEEE Int. Semicond. Laser Conf., Sept. 19-23, Maui, Hawaii, 251-252 (1994).
259. K. Ikeda, H. Kumabe, H. Namizaki and W. Susaki, Proc. SPIE 893, 79-83 (1988).
260. H. Kumabe, T. Tanaka, S. Nita, Y. Seiwa, T. Sogo and S. Takamiya, Jpn. J. Appl. Phys. Suppl.21-1, 347-351 (1982).
261. K. Isshiki, N. Kaneno, H. Kumabe, H. Namizaki, K. Ikeda and W. Susaki, J. Lightwave Technol. LT-4, no 10, 1475-1481 (1986).
262. K. Isshiki, T. Kamizato, A. Takami, A. Shima, S. Karakida, H. Matsubara and W. Susaki, IEEE J. Quant. Electron. 26, 837-842 (1990).
263. D. Botez, D. J. Channin and M. Ettenberg, Opt. Engineering 21, no 6, 1066-1073 (1982).
264. S. Aritomo, M. Yasuda, A. Shima, K. Kadoiwa, T. Kamizato, H. Watanabe, E. Omura, M. Aiga, K. Ikeda and S. Mitsui, IEEE J. Quant. Electron. 29, no 6, 1874-1878 (1993).
265. J. Ralston, A. L. Moretti, R. K. Jain and F. A. Chambers, Appl. Phys. Lett. 50, 1817-1819 (1987).
266. G. Lim, J. Lee, G. Park and T. Kim, In: 14th IEEE Int. Semicond. Laser Conf., Sept. 19-23, 1994, Maui, Hawaii, Conf. Digest, 155-156 (1994).
267. D. Botez, D. J. Channin and M. Ettenberg, Opt. Engin. 21, no 6, 1066-1073 (1982).
268. Y. Kadota, K. Chino, Y. Onodera, H. Namizaki and S. Takamiya, IEEE J. Quant. Electron. 20, 1247-1251 (1984).
269. H. Shimizu, Proc. SPIE 1043, 75-80 (1989).
270. M. Kume, H. Naito, I. Ohta and H. Shimizu, Review of Laser Engineer. 18, no 8, 569-572 (1990).
271. H. Naito, M. Kume, K. Hamada, H. Shimizu and G. Kano, IEEE J. Quant. Electron. 25, no 6, 1495-1499 (1989).
272. H. Naito, H. Nakanishi, H. Nagai, M. Yuri, N. Yoshikawa, M. Kume, K. Hamada, H. Shimizu, M. Kazumura and I. Teramoto, J. Appl. Phys. 68, no 9, 4420-4425 (1990).
273. H. Naito, M. Kume, K. Hamada, H. Shimizu, M. Kazumura, G. Kano and I. Teramoto, IEEE J. Quant. Electron. 27, no 6, 1550-1554 (1991).
274. H. Naito, O. Imafugi, M. Kume, H. Shimizu and M. Kazumura, Appl. Phys. Lett. 61, no 5, 515-516 (1992).
275. O. Imafugi, T. Takayama, H. Sugiura, M. Yuri, H. Naito, M. Kume and K. Itoh, IEEE J. Quant. Electron. 29, no 6, 1889-1894 (1993).
276. W. D. Laidig, N. Holonyak, Jr., M. D. Kamras, K. Hess, J. J. Coleman, P. D. Dapkus and J. Bardeen, Appl. Phys. Lett. 38, 776-778 (1981).
277. J. H. Marsh, Semicond. Sci. Technol. 8, 1136-1155 (1993).
278. R. L. Thornton, D. F. Welch, R. D. Burnham, T. L. Paoli and P. S. Cross, Appl. Phys. Lett. 49, no 23, 1572-1574 (1986).
279. Y. Ueno, H. Fujii, K. Kobayashi, K. Endo, A. Gomyo, K. Hara, S. Kawata, T. Yuasa and T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L1666-L1668 (1990).
280. K. Itaya, M. Ishikawa, G. Hatakoshi and U. Uematsu, IEEE J. Quant. Electron. 27, 1496-1500 (1991).
281. E. A. Andreeva, I. Borodulin, I. Voskoboinikova, Yu. Kurnyavko, O. A. Pashko and S. A. Pashko, Puslaidininkiniu Lazeriu Fizika. Abstr. Republ. Conf. on Physics of Semicond. Lasers, Vilnius, 1989, Vilniaus Uni., 40-41 (1989).
282. S. Pellegrino, C. Pignataro, M. Caldironi, M. Dellagiovanna, F. Vidimari, A. Carnera and A. Gasparotto, Proc. SPIE 2130, 38-48 (1994).
283. T. Shibutani, M. Kume, K. Hamada, H. Shimizu, K. Itoh, G. Kano and I. Teramoto, IEEE J. Quant. Electron. 23, no 6, 760-764 (1987).
284. H. Hamada, M. Shono, S. Honda, R. Hiroyama, K. Matsukawa, K. Yodoshi and T. Yamaguchi, Electron. Lett. 27, no 8, 661-662 (1991).
285. S. A. Maranowski, E. I. Chen, N. Holonyak, Jr. and T. A. Richard, Appl. Phys. Lett. 64, no 16, 2151-2153 (1994).
286. J. Vilms and R.W. Engelmann, Jpn. J. Appl. Phys. 22, no 7, L455-L457 (1983).
287. S. Nakatsuka, S. Yamashita, K. Uchida and T. Kajimura, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, 30, no 3, p. 493-498 (1991).
288. T. Murakami, K. Ohtaki, H. Matsubara, T. Yamawaki, H. Saito, K. Isshiki, Y. Kokubo, H. Kumabe and W. Susaki, Electron. Lett. 22, no 4, 217-218 (1986).
289. A. Shima, T. Yamawaki, H. Saito, H. Matsubara, T. Murakami, K. Ohtaki, H. Kumabe and W. Susaki, Electron. Lett. 23, no 13, 672-674 (1987).
290. A. Shima, H. Matsubara and W. Susaki, IEEE J. Quant. Electron. 26, no 11, 1864-1872 (1990).
291. A. Hardy, K. M. Dzurko, D. F. Welch, D. R. Scifres, R. J. Lang and R. G. Waarts, Appl. Phys. Lett. 62, 931-933 (1993).
292. A. Furuya, Y. Kito, T. Fukushima, M. Sugano, H. Sudo, C. Anayama, M. Kondo and T. Tanahashi, Conf. Digest, 13th IEEE Int. Semicond. Laser Conf., Sept. 21-25, 1992, Takamatsu, Japan, 92-93 (1992).
293. K. Shigihara, T. Aoyagi, Hinata, Y. Nagai, Y. Mihashi, Y. Seiwa, K. Ikeda and W. Susaki, Electron. Lett. 24, 1182-1183 (1988).
294. G. L. Bona, P. Buchmann, R. Clauberg, H. Jaeckel, P. Vettinger, O. Voegeli and D. J. Webb, IEEE Photon. Technol. Lett. 3, no 5, 412-414 (1991).
295. L. Goldberg, D. Mehuys, M. R. Surette and D. C. Hall, IEEE J. Quant. Electron., 29, no 6, 2028-2043 (1993).
296. R. J. Lang, A. Hardy, R. Parke, D. Mehuys, S. O'Brien, J. Major and D. Welch, IEEE J. Quant. Electron. 29, no 6, 2044-2051 (1993).
297. S. Yamashita, S. Nakatsuka, K. Uchida, T. Kawano and T. Kajimura, IEEE J. Quant. Electron. 27, no 6, 1544-1549 (1991).
298. S. Nakatsuka, S. Yamashita, K. Uchida and T. Kajimura, Electron. Lett. 27, no 11, 900-902 (1991).
299. R. G. Waters, Y. C. Chen and R. J. Dalby, Proc. SPIE 1219, 69-78 (1990).
300. A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikaelian and G. G. Kharisov, Kvant. Elektronika 6, 2639-2642 (1979).
301. H. Soda, warniK. Iga, C. Kitahara and Y. Suematsu, Jpn. J. Appl. Phys., 18, 2329-2330 (1979).
302. P. G. Eliseev and R. F. Nabiev, J. Phys., III France 2, 1691-1702 (1992).