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Volumn 405, Issue , 1996, Pages 215-220

Photoluminescence properties of Er-doped porous silicon

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ANNEALING; ERBIUM; ION IMPLANTATION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHOTOLUMINESCENCE; POROSITY; SEMICONDUCTOR DOPING;

EID: 0029726980     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.