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Volumn 1, Issue , 1996, Pages 87-90

Temperature and bias effects in high resistivity silicon substrates

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SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES; SUBSTRATES; THERMAL EFFECTS; WAVEGUIDES;

EID: 0029701382     PISSN: 0149645X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.