Paramagnetic Point Defects in Amorphous Thin Films of SiO2and Si3N4: Updates and Additlons

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 142, Issue 7, 1995, Pages 2508-2516

  Warren, William L ^b  

^a U S ARMY RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS SILICON; FERMI LEVEL; INTERFACES (MATERIALS); ION IMPLANTATION; PARAMAGNETISM; PASSIVATION; POINT DEFECTS; SILICA; SILICON NITRIDE; THIN FILMS;

AMPHOTERIC CHARGING; MOLECULAR ORBITAL THEORY; PARAMAGNETIC POINT DEFECTS; RADIATION INDUCED POSITIVE CHARGE; SILICON OXYNITRIDE; THERMAL OXIDE FILMS;

AMORPHOUS FILMS;

EID: 0029346046     PISSN: 00134651     EISSN: 19457111     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2044326     Document Type: Article

References (55)

1. W. L. Warren, E. H. Poindexter, M. Offenberg, and W. Muller-Warmuth, Journal of the Electrochemical Society, 139, 872 (1992).
2. W. L. Warren, J. Kanicki, F. C. Rong, and E. H. Poindexter, Journal of the Electrochemical Society, 139, 880 (1992).
3. J. F. Conley, Jr., P. M. Lenahan, H. L. Evans, R. K. Lowry, and T. J. Morthurst, J. Appl. Phys., 76, 8186 (1994).
4. J. K. Rudra and W. B. Fowler, Phys. Rev. B, 35, 8223 (1987).
5. F. J. Feigl, W. B. Fowler, and K. L. Yip, Solid State Cornmun., 14, 225 (1974).
6. K. C. Snyder and W. B. Fowler, Phys. Rev. B, 48, 13, 238 (1993).
7. A. Kalnitsky, J. P. Ellul, E. H. Poindexter, P. J. Caplan, R. A. Lux, and A. R. Boothroyd, J. Appl. Phys., 67, 7359 (1990).
8. E. P. O. Reilly and J. Robertson, Phys. Rev. B, 27, 3780 (1983).
9. J. Robertson, J. Phys. C., 17, L221 (1984).
10. M. E. Zvanut, F. J. Feigl, W. B. Fowler, J. K. Rudra, P. J. Caplan, E. H. Poindexter, and J. D. Zook, Appl. Phys. Lett., 54, 2118 (1989).
11. W. B. Fowler, J. K. Rudra, M. E. Zvaaut, and F. J. Feigl, Phys. Rev. B, 41, 8313 (1990).
12. D. L. Griscom and E. J. Friebele, Phys. Rev. B, 34, 7524 (1986).
13. K. Vanheusden and A. Stesmans, J. Appl. Phys., 74, 275 (1993)
14. W. L. Warren, D. M. Fleetwood, M. R. Shaneyfelt, J. R. Schwank, P. S. Winokur, and R. A. B. Devine, Appl. Phys. Lett, 62, 3330 (1993).
15. R. A. B. Devine, D. Mathiot, W. L. Warren, D. M. Fleetwood, and B. Aspar, Appl. Phys. Lett, 63, 2926 (1993).
16. W. L. Warren, M. R. Shaneyfelt, J. R. Schwank, D. M. Fleetwood, P. S. Winokur, R. A. B. Devine, W. P. Maszara, and J. B. McKitterick, IEEE Trans. Nucl. Set, NS-40, 1755 (1993).
17. W. L. Warren, J. R. Schwank, M. R. Shaneyfelt, D. M. Fleetwood, and P. S. Winokur, Appl. Phys. Lett., 62, 1661 (1993).
18. A. Stesmans, Phys. Rev. B, 45, 9501 (1992).
19. A. Stesmans, F. Scheerlink, and A. Af anas’ey Appl. Phys. Lett, 64, 2282 (1994).
20. R. E. Stahlbush, A. H. Edwards, D. L. Griscom, and B. R. Mrstik, J. Appl. Phys., 73, 658 (1992).
21. A. H. Edwards, J. Non-Cry st. Solids, In press.
22. B. I. Vikhrev, N. N. Gerasimenko, and G. P. Lebedev, Mikroelektronika, 6, 71 (1977).
23. Z. Li, S. J. Fonash, E. H. Poindexter, M. Harmatz, F. Rong, and W. R. Buchwald, J. Non-Cryst. Solids, 126, 173 (1990).
24. J. F. Conley and P. M. Lenahan, Appl. Phys. Lett., 62, 40 (1993).
25. P. M. Lenahan and P. V. Dressendorfer, J. Appl. Phys., 55, 3495 (1984).
26. K. Yokogawa, Y. Yajima, T. Mizutani, S. Nishimatsu, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., 29, 2265 (1990).
27. W. L. Warren, D. M. Fleetwood, M. R. Shaneyfelt, P. S. Winokur, R. A. B. Devine, and D. Mathiot, Appl. Lett., 64, 3452 (1994).
28. W. L. Warren, D. M. Fleetwood, M. R. Shaneyfelt, P. S. Winokur, and R. A. B. Devine, Phys. Rev. B, 50, 14, 710 (1994).
29. M. Schulz and A. Karmann, Appl. Phys., A52, 104 (1991).
30. A. J. Lelis, H. E. Boesch, Jr., T. R. Oldham, and E. B. McLean, IEEE Trans. Nucl Sci., NS-35, 1186 (1988).
31. A. H. Edwards, Personal communication.
32. P. Balk, M. Aslam, and D. R. Young, Solid State Electron, 27, 709 (1984).
33. R. E. Stahlbush, G. J. Campisi, J. B. McKitterick, W. P. Maszara, R. Roitman, and G. A. Brown, IEEE Trans. Nucl Sci., NS-39, 2086 (1992).
34. P. Paillet, D. Herve, J. L. Leray, and R. A. B. Devine, Appl Phys. Lett., 63, 2881 (1993).
35. D. M. Fleetwood, R. A. Reber, and P. S. Winokur, Appl Phys. Lett, 60, 2008 (1992).
36. E. Siegel and K. A. Muller, Phys. Rev. B, 19, 109(1979).
37. P. M. Lenahan and S. E. Curry, Appl. Phys. Lett., 56, 857 (1990).
38. W. L. Warren and P. M. Lenahan, Phys. Rev. B, 42, 1773 (1990).
39. W. L. Warren, F. C. Rong, E. H. Poindexter, G. J. Gerardi, and J. Kanicki, J. Appl. Phys., 70, 346 (1991).
40. D. T. Krick, P. M. Lenahan, and J. Kanicki, J. Appl. Phys., 64, 3558 (1988).
41. D. Jousse and J. Kanicki, Appl. Phys. Lett., 55, 1112 (1989).
42. K. L. Ngai and Y. Hsia, Appl. Phys. Lett., 41, 1596 (1982).
43. S. Fujita and S. Sasaki, Journal of the Electrochemical Society, 132, 398 (1985).
44. E. D. Tober, J. Kanicki, and M. S. Crowder, Appl. Phys. Lett., 59, 1723 (1991).
45. J. Robertson and M. J. Powell, Appl. Phys. Lett., 44, 415 (1984).
46. W. L. Warren, J. Robertson, and J. Kanicki, Appl. Phys. Lett., 63, 2685 (1993).
47. H. M. Branz and M. Silver, Phys. Rev. B, 42, 7420 (1990).
48. H. Fritzsche and Y. IsTakayama, Philos. Mag., In press.
49. J. Robertson, Philos. Mag., B63, 47 (1991).
50. W. L. Warren, J. Kanicki, F. C. Rong, E. H. Poindexter, and P. J. McWhorter, Appl. Phys. Lett, 61, 216 (1992).
51. H. Yan, M. Kumeda, N. Ishii, and T. Shimuzu, Jpn. J. Appl. Phys., 32, 976 (1993).
52. J. T. Yount, G. T. Kraus, P. M. Lenahan, and D. T. Krick, Jpn. J. Appl. Phys., 70, 4969 (1991).
53. Y. Cros and J. Krautwurm, J. Non-Cryst. Solids, In press.
54. T. E. Tsai, D. L. Griscom, and E. J. Friebele, Phys. Rev. B, 38, 2140 (1988).
55. J. H. Mackey, J. W. Boss, and J. M. Kopp, Phys. Chem. Glass, II, 205 (1970).