ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe SCH laser diode with a GaAs buffer layer

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 33, Issue 7, 1994, Pages L938-L940

  Itoh, Satoshi ^a   Nakayama, Norikazu ^a   Matsumoto, Satoshi ^a   Nagai, Masaharu ^a   Nakano, Kazushi ^a   Ozawa, Masafumi ^a   Okuyama, Hiroyuki ^a   Tomiya, Shigetaka ^a   Ohata, Toyoharu ^a   Ikeda, Masao ^a   Ishibashi, Akira ^a   Mori, Yoshifumi ^a  

^a SONY CORPORATION   (Japan)

Author keywords

Buffer layer; II VI; SCH; Semiconductor lasers; ZnCdSe; ZnMgSSe

Indexed keywords

CRYSTAL DEFECTS; DEGRADATION; EPITAXIAL GROWTH; LIGHT EMISSION; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMAS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SUBSTRATES;

BUFFER LAYER; CONTINUOUS WAVE OPERATION; DISLOCATION DENSITY; GROWTH CHAMBER; NITROGEN PLASMA; SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE; STACKING FAULTS; X RAY DIFFRACTION MEASUREMENT;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 0028461671     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.33.L938     Document Type: Article

References (16)

1. H. Okuyama, K. Nakano, T. Miyajima and K. Akimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1620.
2. J. M. Gaines, R. R. Drenten, K. W. Haberem, T. Marshall, P. Mensz and J. Petruzzello: Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 2462.
3. S. Itoh, H. Okuyama, S. Matsumoto, N. Nakayama, T. Ohata, T. Miyajima, A. Ishibashi and K. Akimoto: Electron. Lett. 29 (1993) 766.
4. N. Nakayama, S. Itoh, T. Ohata, K. Nakano, H. Okuyama, M. Ozawa, A. Ishibashi, M. Ikeda and Y. Mori: Electron. Lett. 29 1488.
5. M. A. Hasse, P. F. Baude, M. S. Hagedom, J. Qiu, I. M. DePuydt, H. Cheng, S. Guha, G. E. Hofler and B. I. Wu: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 2315.
6. S. Itoh, N. Nakayama, T. Ohata, M. Ozawa, H. Okuyama, K. Nakano, M. Ikeda, A. Ishibashi and Y. Morig: Jpn J. Appl. Phys. 32 (1993) L1530.
7. N. Nakayama, S. Itoh, H. Okuyama, M. Ozawa, T. Ohata, K. Nakano, M. Ikeda, A. Ishibashi and Y. Morigff: Electron. Lett. 29 (1993) 2194.
8. A. Salokatve, H. Jeon, M. Hovinen, P. Kelkar, A. V. Nurmikko, D. C. Grillo, L He, J. Han, Y. Fan, M. Ringle and R. L. Gunshor: Electron. Lett. 29 (1993) 2041.
9. A. Salokatve, H. Jeon, J. Ding, M. Hovinen, A. V. Nurmikko, D. C. Grillo, Li J. Han, Y. Fan, M. Ringle, R. L. Gunshor, G. C. Hua and N. Otsuka: Electron. Lett. 29 (1993) 2192.
10. H. Okuyama, S. Itoh, E. Kato, M. Ozawa, N. Nakayama, K. Nakano, M. Ikeda, A. Ishibashi and Y. Mori: Electron. Lett. 30 415.
11. S. Guha, J. M. DePuydt, J. Qiu, G. E. Hofler, M. A. Hasse, B. J. Wu and H. Cheng: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3023.
12. S. Guha, J. M. DePuydt, M. A. Hasse, J. Qiu and H. Cheng: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3107.
13. M. C. Tamargo, J. L. de Miguel, D. M. Hwang and H. H. Farrell: J. Vac. Sci. & Technol. B 6 (1988) 784.
14. S. Guha, H. Munekata and L. L. Chang: J. Appl. Phys. 73 (1993) 2294.
15. W. Xie, D. C. Grillo, R. L. Gunshor, M. Kobayashi, H. Jeon, J. Ding, A. V. Nurmikko, G. C. Hua and N. Otsuka: Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 1999.
16. S. Itoh, N. Nakayama, T. Ohata, M. Ozawa, H. Okuyama, K. Nakano, M. Ikeda, A. Ishibashi and Y. Mori: To be published in Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994).