Hole Compensation Mechanism of P-Type GaN Films

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 31, Issue 5 R, 1992, Pages 1258-1266

  Nakamura, Shuji ^a   Iwasa, Naruhito ^a   Senoh, Masayuki ^a   Mukai, Takashi ^a  

^a NICHIA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

Atomic hydrogen; Hall measurement; Hydrogenation; P type GaN; Photoluminescence; Thermal annealing

Indexed keywords

ELECTRON BEAMS; HYDROGEN; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING FILMS - ELECTRONIC PROPERTIES;

GALLIUM NITRIDE;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0026867861     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.31.1258     Document Type: Article

References (29)

1. S. Yoshida, S. Misawa and S. Gonda 1983 Appl. Phys. Lett.42 427.
2. S. Yoshida, S. Misawa and S. Gonda 1983 J. Vac. Sci. & Technol. B1 250.
3. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda 1986 Appl. Phys. Lett.48 353.
4. H. Amano, I. Akasaki, K. Hiramatsu and N. Koide 1988 Thin Solid Films163 415.
5. I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki 1989 J. Cryst. Growth98 209.
6. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki 1989 Inst. Phys. Conf. Ser.106 725.
7. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki 1989 Jpn. J. Appl. Phys.28 L2112.
8. H. Amano and I. Akasaki 1991 Oyo Buturi60 163 [in Japanese].
9. S. Nakamura 1991 Jpn. J. Appl. Phys.30 L1705.
10. S. Nakamura, M. Senoh and T. Mukai 1991 Jpn. J. Appl. Phys.30 L1708.
11. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh 1991 Jpn. J. Appl. Phys.30 L1998.
12. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa 1992 Jpn. J. Appl. Phys.31 L139.
13. S. Nakamura 1991 Jpn. J. Appl. Phys.30 1620.
14. S. Nakamura, Y. Harada and M. Senoh 1991 Appl. Phys. Lett.58 2021.
15. Z. J. Yu, J. H. Edgar, A. U. Ahmed and A. Rys 1991 J. Electrochem. Soc.138 196.
16. F. Bozso and P. Avouris 1988 Phys. Rev. B38 3937.
17. S. J. Pearton, J. W. Corbett and T. S. Shi 1987 Appl. Phys. A43 153.
18. N. M. Johnson, R. D. Burnham, R. A. Street and R. L. Thornton 1986 Phys. Rev. B33 1102.
19. P. S. Nandhra, R. C. Newman, R. Murray, B. Pajot, J. Chevallier, R. B. Beall and J. J. Harris 1988 Semicond. Sci. Technol.3 356.
20. J. Chevallier, A. Jalil, B. Theys, J. C. Pesant, M. Aucouturier, B. Rose, C. Kazmierski and A. Mircea 1989 Mater. Sci. Forum38 991.
21. A. Bosacchi, S. Franchi, E. Gombia, R. Mosca, P. Allegri, V. Avanzini and C. Ghezzi 1989 Mater. Sci. Forum38 1027.
22. E. M. Omeljanovsky, A. V. Pakhomov and A. Y. Polyakov 1989 Mater. Sci. Forum38 1063.
23. C. T. Sah, J. Y. C. Sun and J. J. T. Tzou 1983 Appl. Phys. Lett.43 204.
24. N. M. Johnson, C. Herring and D. J. Chadi 1986 Phys. Rev. Lett.56 769.
25. P. J. H. Denteneer, C. G. Van de Walle, Y. Bar-Yam and S. T. Pantelides 1989 Mater. Sci. Forum38 979.
26. S. J. Pearton, W. C. Dautremont-Smith, J. Chevallier, C. W. Tu and K. D. Cummings 1986 J. Appl. Phys.59 2821.
27. M. R. Lorenz and B. B. Binkowsky 1962 J. Electrochem. Soc.109 24.
28. H. Amano, I. Akasaki, T. Kozawa, K. Hiramatsu, N. Sawaki, K. Ikeda and Y. Ishii 1988 J. Lumin.40 121.
29. F. Bozso and P. Avouris 1988 Phys. Rev. B38 3943.