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Volumn 115, Issue 1-4, 1991, Pages 648-651

Growth of Si-doped AlxGa1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

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ORGANOMETALLICS; SAPPHIRE; SILICON AND ALLOYS;

EID: 0026414732     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/0022-0248(91)90820-U     Document Type: Article
Times cited : (69)

References (4)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.