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Volumn 3, Issue , 1989, Pages 1033-1036

Easy-to-use FET DRO design procedure suited to most CAD programs

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RESONATORS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; TRANSISTORS, FIELD EFFECT;

EID: 0024906083     PISSN: 0149645X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
Times cited : (28)

References (6)
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.