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Volumn , Issue , 1989, Pages 27-28

New preamorphization technique for very shallow p+-n junctions

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CRYSTALS--PHYSICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTING ANTIMONY;

EID: 0024899808     PISSN: 07431562     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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References (3)
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.