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Volumn 8, Issue 10, 1989, Pages 1065-1073

Temperature Dependence Modeling for MOS VLSI Circuit Simulation

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INTEGRATED CIRCUITS, VLSI--COMPUTER SIMULATION; MATHEMATICAL TECHNIQUES--SENSITIVITY ANALYSIS; OSCILLATORS;

EID: 0024755264     PISSN: 02780070     EISSN: 19374151     Source Type: Journal    
DOI: 10.1109/43.39068     Document Type: Article
Times cited : (12)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.