Subquarter-Micrometer Gate-Length p-Channel and n-Channel MOSFET’s with Extremely Shallow Source-Drain Junctions

IEEE Transactions on Electron Devices

Volumn 36, Issue 2, 1989, Pages 392-398

  Miyake, Masayasu ^a   Kobayashi, Toshio ^a   Okazaki, Yukio ^a  

^a NTT CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HEAT TREATMENT--ANNEALING; LITHOGRAPHY; SEMICONDUCTING SILICON--ION IMPLANTATION;

ARSENIC ION IMPLANTATION; PREAMORPHIZATION; RAPID THERMAL ANNEALING; RING OSCILLATORS; SHALLOW SOURCE-DRAIN JUNCTIONS;

SEMICONDUCTOR DEVICES, MOSFET;

EID: 0024610567     PISSN: 00189383     EISSN: 15579646     Source Type: Journal    
DOI: 10.1109/16.19941     Document Type: Article

References (25)

1. W. Fichtner, R. K. Watts, D. B. Fraser, R. L. Johnston, and S. M. Sze, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-3, p. 412, 1982.
2. W. Fichtner, R. H. Levin, and G. W. Taylor, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-3, p. 34, 1982.
3. R. E. Howard, L. D. Jackel, R. G. Swartz, P. Grabbe, V. D. Archer, R. W. Epworth, E. L. Hu, D. M. Tennant, and A. M. Voshchenkov, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-3, p. 322, 1982.
4. L. C. Parrillo, S. J. Hillenius, R. L. Field, E. L. Hu, W. Fichtner, and M. L. Chen, in IEDM Tech. Dig., 1984, p. 418.
5. A. E. Schmitz, P. K. Vasudev, and J. Y. Chen, in IEDM Tech. Dig., 1984, p. 423.
6. K. Suzuki, K. Okada, J. Matsui, N. Endo, Y. Iida, and M. Fukuma, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-6, p. 353, 1985.
7. T. Kobayashi, S. Horiguchi, and K. Kiuchi, in IEDM Tech. Dig., 1984, p. 414.
8. S. Horiguchi, T. Kobayashi, M. Miyake, M. Oda, and K. Kiuchi, in IEDM Tech. Dig., 1985, p. 761.
9. L. K. Wang, Y. Taur, D. Moy, R. H. Dennard, K. Chiong, F. Hoh, P. J. Coane, A. Edenfeld, S. Carbaugh, D. Kenney, and S. Schnur, in Symp. VLSI Technol. Dig. Tech. Papers, 1986, p. 13.
10. R. F. Kwasnick, B. F. Griffing, E. B. Kaminsky, P. A. Frank, and M. J. Kim, in Symp. VLSI Technol. Dig. Tech. Papers, 1986, p. 11.
11. K. M. Cham, D. W. Wenocur, J. Lin, C. K. Lau, and H. S. Fu, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-7, p. 49, 1986.
12. S. Y. Chou, H. I. Smith, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol., vol. B4, no. 1, p. 253, 1986.
13. K. M. Cham, and S. Chiang, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-31, p 964, 1984.
14. H. Lee, and L. C. Puzio, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-7, p. 612, 1986.
15. G. A. Sai-Halasz, M. R. Wordeman, D. P. Kern, E. Ganin, S. Rishton, D. S. Zicherman, H. Schmid, M. R. Polcari, H. Y. Ng, P. J. Restle, T. H. P. Chang, and R. H. Dennard, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-8, p. 463, 1987.
16. M. Miyake, T. Kobayashi, K. Deguchi, M. Kimizuka, S. Horiguchi, and K. Kiuchi, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-8, 266, 1987.
17. J. R. Brews, W. Fichtner, E. H. Nicollian, and S. M. Sze, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-1, p. 2, 1980.
18. T. Ono, C. Takahashi, M. Oda, and S. Matsuo, in Symp. VLSI Technol. Dig. Tech. Papers, 1985, p. 84.
19. T. M. Liu and W. G. Oldham, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-4, p. 59, 1983.
20. A. E. Michel, R. H. Kastl, S. R. Mader, B. J. Masters, and J. A. Gardner, Appl. Phys. Lett., vol. 44, p. 404, 1984.
21. B. Y. Tsaur and C. H. Anderson, Jr., J. Appl. Phys., vol. 54, p. 6336, 1983.
22. M. E. Lunnon, J. T. Chen, and J. E. Baker, J. Electrochem. Soc., vol. 132, p. 2473, 1985.
23. K. Nishiguchi, H. Oka, T. Nakamura, H. Ishikawa, and M. Shinoda, in IEDM Tech. Dig., 1978, p. 26.
24. J. Chen, T. Y. Chan, I. C. Chen, P. K. Ko, and Chenming Hu, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-8, 515, 1987.
25. F. H. De La Moneda, H. N. Kotecha, and M. Shatzkes, IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-3, p. 10, 1982.