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Volumn 46, Issue 1, 1985, Pages 19-21

Fabrication and performance characteristics of InGaAsP multiquantum well double channel planar buried heterostructure lasers

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SEMICONDUCTOR DEVICES - HETEROJUNCTIONS;

EID: 0021857034     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.95835     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.