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Journal of the Physical Society of Japan

Volumn 51, Issue 12, 1982, Pages 3900-3907

Self-Consistent Results for a GaAs/ALGa1-xAs Heterojunction. II. Low Temperature Mobility

(1) Ando, Tsuneya a

a UNIVERSITY OF TSUKUBA (Japan)

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SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE - TRANSPORT PROPERTIES;

SEMICONDUCTOR DEVICES;

EID: 0020249089 PISSN: 00319015 EISSN: 13474073 Source Type: Journal
DOI: 10.1143/JPSJ.51.3900 Document Type: Article

Times cited : (356)

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- (1979) Phys. Rev. , vol.B19 , pp. 6433
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.