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Volumn 17, Issue 6, 1974, Pages 539-550

Drain voltage limitations of MOS transistors

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TRANSISTORS;

EID: 0016070973     PISSN: 00381101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/0038-1101(74)90171-3     Document Type: Article
Times cited : (25)

References (20)
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    • 84916356884 scopus 로고    scopus 로고
    • J. Shappir, Punch-through Phenomena in MOS transistors, Paper presented at Eurocon 71.
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.