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Volumn 13, Issue , 1970, Pages 42-43

THREE-TRANSISTOR- CELL, 1024- BIT, 500 NS MOS RAM

(2)  REGITZ WM, a   KARP J, a  

a NONE

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BIT; CELL; MEMORY DEVICES; RANDOM ACCESS MEMORIES; TRANSISTORS, FIELD EFFECT;

EID: 0014923118     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
Times cited : (34)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.