Characteristics of the formation of (Al, Ga)Sb/InAs heterointerfaces in molecular-beam epitaxy

Semiconductors

Volumn 31, Issue 10, 1997, Pages 1067-1070

  Neklyudov, P V ^a   Ivanov, S V ^a   Mel'tser, B Ya ^a   Kop'ev, P S ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0013501921     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187324     Document Type: Article

References (18)

1. G. Tuttle, H. Kroemer, and J. H. English, J. Appl. Phys. 67, 3032 (1990).
2. B. Brar, J. Ibbetson, H. Kroemer, and J. H. English, Appl. Phys. Lett. 64, 3392 (1994).
3. J. Wagner, J. Schmitz, D. Behr, J. D. Ralston, and P. Koidl, Appl. Phys. Lett. 65, 1293 (1994).
4. I. Sela, C. R. Bolognesi, L. A. Samoska, and H. Kroemer, Appl. Phys. Lett. 60, 3283 (1992).
5. S. V. Ivanov, P. D. Altukhov, T. S. Argunova, A. A. Bakun, A. A. Boudza, V. V. Chaldyshev, Yu. A. Kovalenko, P. S. Kop'ev, R. N. Kutt, B. Ya. Meltser, S. S. Ruvimov, L. M. Sorokin, S. V. Shaposhnikov, and V. M. Ustinov, Semicond. Sci. Technol. 8, 347 (1993).
6. S. V. Ivanov, A. A. Boudza, R. N. Kutt, N. N. Ledentsov, B. Ya. Meltser, S. S. Ruvimov, S. V. Shaposhnikov, and P. S. Kop'ev, J. Cryst. Growth 156, 191 (1995).
7. P. S. Kop'ev and N. N. Ledentsov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 22, 1729 (1988) [Sov. Phys. Semicond. 22, 1093 (1988)].
8. P. S. Kop'ev and N. N. Ledentsov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 22, 1729 (1988) [Sov. Phys. Semicond. 22, 1093 (1988)].
9. R. E. Nahory, M. A. Pollack, E. D. Beebe, and J. C. DeWinter, J. Electrochem. Soc. 125, 1053 (1978).
10. O. Madelung, M. Schulz, and H. Weiss, Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Vol. 17A (Springer-Verlag, Berlin, 1982).
11. S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, and N. N. Ledentsov, J. Cryst. Growth 104, 345 (1990).
12. M. B. Panich and H. Ilegems, in Progress in Solid State Chemistry, edited by J. Reiss and J. D. McCaldin, Vol. 7 (Pergamon, New York, 1972), p. 39.
13. S. Yu. Karpov, Yu. V. Kovalchuk, V. E. Myachin, and Yu. V. Pogorelskii, J. Cryst. Growth 129, 563 (1993).
14. M. Seta, H. Asahi, S. G. Kim, K. Asami, and S.-I. Gonda, J. Appl. Phys. 74, 5033 (1993).
15. J. Spitzer, H. D. Fuchs, P. Etchegoin, M. Ilg, and M. Cardona, Appl. Phys. Lett. 62, 2274 (1993).
16. B. R. Bennett, B. V. Shanabrook, R. J. Wagner, J. L. Davis, and J. R. Waterman, Appl. Phys. Lett. 63, 949 (1993).
17. M. Yano, M. Okuizumi, Y. Iwai, and M. Inoue, J. Appl. Phys. 74, 7472 (1993).
18. P. D. Wang, N. N. Ledentsov, C. M. Sotomayor-Torres, S. V. Ivanov, B. Ya. Meltser, and P. S. Kop'ev, Solid State Commun. 9, 361 (1994).