Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: Heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP{111} planes

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 11, 1996, Pages 6204-6210

  Keckes J ^a   Ortner, B ^b   Cerven I ^c   Jakabovic J ^c   Kovac J ^c  

^a INSTITUTE OF CHEMISTRY   (Slovakia)

^b Erich Schmid Institute of Materials Science   (Austria)

^c SLOVAK UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Slovakia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0013230253     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363696     Document Type: Article

References (32)

1. A. Katz, A. Feingold, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, M. Geva, and K. S. Jones, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2466 (1991), and references therein.
2. E. K. Kim, H. Y. Cho, J. H. Yoon, S. K. Min, Y. L. Jung, and W. H. Lee, J. Appl. Phys. 68, 1665 (1990).
3. B. Sartorius, M. Schlak, M. Rosenzweig, and K. Pärschke, J. Appl. Phys. 63, 4677 (1988).
4. W. Y. Lum and A. R. Clawson, J. Appl. Phys. 50, 5296 (1979).
5. C. R. Bayliss and D. L. Kirk, Thin Solid Films 29, 97 (1975).
6. B. Molnar, Appl. Phys. Lett. 36, 927 (1980).
7. A. Katz, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 56, 1028 (1990).
8. R. F. C. Farrow, J. Phys. D 7, 2436 (1974).
9. R. Srnánek and P. Hábovčík, J. Cryst. Growth 46, 55 (1979).
10. G. J. Valco and V. J. Kapoor, J. Electrochem. Soc. 134, 569 (1987).
11. S. J. Pearton and K. D. Cummings, J. Appl. Phys. 58, 1500 (1985).
12. G. J. van Gurp, P. R. Boudewijn, M. N. C. Kempeners, and D. L. A. Tjaden, J. Appl. Phys. 61, 1846 (1987).
13. U. Schade and P. Enders, Semicond. Sci. Technol. 7, 752 (1992).
14. A. Usami, Y. Tokuda, H. Shiraki, H. Ueda, T. Wada, H. Kan, and T. Murakami, J. Appl. Phys. 66, 3590 (1989).
15. K. W. Wang, S. M. Parker, Ch. L. Cheng, and J. Long, J. Appl. Phys. 63, 2104 (1988).
16. S. Arimoto, M. Yasuda, A. Shima, K. Kadoiwa, T. Kamizato, H. Wanatabe, E. Omura, M. Aiga, K. Ikeda, and S. Mitsui, IEEE J. Quantum Electron. ED-29, 1874 (1993).
17. H. Ando, N. Susa, and H. Kanbe, IEEE Trans. Electron Devices ED-29, 1408 (1982).
18. F. Schmitt, L. S. Su, D. Franke, and R. Kaumanns. IEEE Trans. Electron Devices ED-31, 1083 (1984).
19. I. Červeň, T. Lacko, I. Novotný, V. Tvarožek. and M. Harvanka, J. Cryst. Growth 131, 546 (1993).
20. H. J. Bunge, Experimental Techniques in Texture Analysis (DGM Informationsgeselschaft, Oberursel, 1986).
21. M. Ichimura and A. Sasaki, Phys. Rev. B 36, 9694 (1987).
22. S. Adachi, Y. Noguchi, and H. Kawaguchi, J. Electrochem. Soc. 129, 1053 (1982).
23. B. Tuck and A. J. Baker, J. Mater. Sci. 8, 1559 (1973).
24. D. T. C. Huo, J. D. Wynn, M. F. Yan, and D. P. Wilt, J. Electrochem. Soc. 136, 1804 (1989).
25. R. G. Rhodes, Imperfections and Active Centres in Semiconductors (Pergamon, London, 1964).
26. D. Gregušová, P. Eliáš, L. Malacký, R. Kúdela, and J. Škriniarová, Phys. Status Solidi A 151, 113 (1995).
27. K. R. Elias, S. Mahajan, C. L. Bauer, A. G. Milnes, and W. A. Bonner, J. Appl. Phys. 62, 1245 (1987).
28. G. T. Brown, B. Cockayne, and W. R. MacEwan, J. Mater. Sci. 15, 2539 (1980).
29. M. G. Astles and M. C. Rowland, J. Cryst. Growth 27, 142 (1974).
30. S. Kocsis and E. Lendvay, Krist. Tech. 9, 1131 (1974).
31. S. N. G. Chu, C. M. Jodlauk, and W. D. Johnston, Jr., J. Electrochem. Soc. 130, 2398 (1983).
32. A. Zur and T. C. McGill, J. Appl. Phys. 55, 378 (1984), and references therein.