Growth of AlF3 thin films on GaAs(110). Structure and chemical stability

Surface Science

Volumn 482-485, Issue PART 2, 2001, Pages 854-859

  Vergara, L I ^a,c   Vidal, R A ^a   Ferron J ^a   Sanchez E A ^b   Grizzi, O ^b  

^a UNIVERSIDAD NACIONAL DEL LITORAL   (Argentina)

^b Facultad de Ingeniería Química ^*  (Argentina)

^c Instituto de Desarrollo Tecnologico para la Industria Quimica   (Argentina)

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Auger electron spectroscopy; Gallium arsenide; Low energy ion scattering (LEIS); Semiconductor insulator interfaces

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EID: 0013020888     PISSN: 00396028     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0039-6028(01)00797-X     Document Type: Article

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