Growth, structures, and optical properties of III-nitride quantum dots

International Journal of High Speed Electronics and Systems

Volumn 12, Issue 1, 2002, Pages 79-110

  Huang, Daming ^a,b   Reshchikov, Michael A ^a   Morkoç, Hadis ^a  

^a Virginia Commonwealth University   (United States)

^b FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; CRYSTAL GROWTH; CRYSTAL STRUCTURE; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMITTING DIODES; OPTICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTOR LASERS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

BULK DEFECTS; THERMAL PERTURBATION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0012754124     PISSN: 01291564     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1142/S0129156402001137     Document Type: Review

References (78)

1. A. D. Yoffe, Adv. Phys. 50, 1 (2001).
2. D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (John Wiley and Sons, Chichester 1999).
3. H. Morkoç, Nitride Semiconductors and Devices (Springer Verlag, Heidelberg, 1999).
4. S. N. Mohammad and H. Morkoc, Progress in Quantum Electronics 20, 361(1996).
5. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer-Verlag, Heidelberg, 1997).
6. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
7. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
8. V. A. Shchukin and D. Bimberg, Rev. Mod. Phys. 71, 1125 (1999).
9. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
10. P. M. Petroff and S. P. DenBaars, Superlattices and Microstructures 15, 15 (1994).
11. M. Pinczolits, G. Springholz, and G. Bauer, Appl. Phys. Lett. 73, 250 (1998).
12. B. Daudin, F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery, and J. L. Rouviere, Phys. Rev. B 56, R7069 (1997).
13. B. Daudin, G. Feuillet, F. Widmann, Y. Samson, J. L. Rouviere, N. Pelekanos, and G. Fishman, MRS Symp. Proc. 482, 205 (1998).
14. F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J. L. Rouviere, and N. Pelekanos, J. Appl. Phys. 83, 7618 (1998).
15. F. Widmann, J. Simon, B. Daudin, G. Feuillet, J. L. Rouviere, N. Pelekanos, and G. Fishman, Phys. Rev. B 58, R15989 (1998).
16. J. L. Rouviere, J. Simon, N. Pelekanos, B. Daudin, and G. Feuillet, Appl. Phys. Lett., 75, 2632 (1999).
17. B. Daudin, F. Widmann, J. Simon, G. Feuillet, J. L. Rouviere, N. Pelekanos, and G. Fishman, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G9.2 (1999).
18. B. Damilano, N. Grandjean, F. Semond, J. Massies, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett., 75, 962 (1999).
19. X.-Q. Shen, S. Tanaka, S. Iwai, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 72, 344 (1998). H. Hirayama, Y. Aoyagi, and S. Tanaka, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 431, G9.4 (1999).
20. X.-Q. Shen, S. Tanaka, S. Iwai, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 72, 344 (1998). H. Hirayama, Y. Aoyagi, and S. Tanaka, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 431, G9.4 (1999).
21. X. Q. Shen, T. Ide, S. H. Cho, M. Shimizu, S. Hara, H. Okumura, S. Sonoda, and S. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L16 (2000).
22. D. Huang, P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, F. Yun, A. A. Baski, T. King, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 78, 4145 (2001).
23. M. Arlery, J. L. Rouviere, F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, and H. Mariette, Appl. Phys. Lett. 74, 3287 (1999).
24. G. Feuillet, F. Widmann, B. Daudin, J. Schuler, M. Arlery, J. L. Rouviere, N. Pelekanos, and O. Briot, Mater. Sci. Eng. B 50, 233 (1997).
25. Q. Xie, Anupam, P. Chen, and N. P. Kobayashi, Phys. Rev. Lett. 75, 2542 (1995).
26. J. Tersoff, C. Teichert, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 76, 1675 (1996).
27. J. Gleize, J. Frandon, F. Demangeot, M. Renucci, C. Adelmann, B. Daudin, G. Feuillet, B. Damilano, N. Grandjean, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 77, 2174 (2000).
28. E. Martinez-Guerrero, C. Adelmann, F. Chabuel, J. Simon, N. T. Pelekanos, G. Mula, B. Daudin, G. Feuillet, and H. Mariette, Appl. Phys. Lett. 77, 809 (2000).
29. C. Adelmann, J. Simon, G. Feuillet, N. T. Pelekanos, B. Daudin, and G. Fishman, Appl. Phys. Lett. 76, 1570 (2000).
30. B. Damilano, N. Grandjean, S. Dalmasso, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 75, 3751 (1999).
31. N. Grandjean and J. Massies, Appl. Phys. Lett., 72, 1078 (1998).
32. D. Huang, M. A. Reshchikov, F. Yun, T. King, A. A. Baski, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett., in press.
33. P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, R. Cingolani, H. Morkoç, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 3532 (2000).
34. V. Dmitriev, K. Irvine, A. Zubrilov, D. Tsvetkov, V. Nikolaev, M. Jakobson, D. Nelson, and A. Sitnikova, Gallium Nitride and Related Materials, edited by R. D. Dupuis, J. A. Edmond, F. A. Ponce, and S. Nakamura (MRS, Pittsburgh, PA, 1996).
35. S. Tanaka, S. Iwai, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 69, 4096 (1996).
36. S. Tanaka, H. Hirayama, S. Iwai, and Y. Aoyagi, MRS Symp. Proc. 449, 135 (1997).
37. P. Ramvall, S. Tanaka, S. Nomura, P. Riblet, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 75, 1935 (1999).
38. P. Ramvall, P. Riblet, S. Nomura, Y. Aoyagi, and S. Tanaka, J. Appl. Phys. 87, 3883 (2000)
39. S. Tanaka, H. Hirayama, Y. Aoyagi, Y. Narukawa, Y. Kawakami, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita, Appl. Phys. Lett. 71, 1299 (1997).
40. . H. Hirayama, S. Tanaka, P. Ramvall, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 72, 1736 (1998).
41. K. Tachibana, T. Someya, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 74, 383 (1999).
42. L. Nistor, H. Bender, A. Vantomme, M. F. Wu, J. Van Landuyt, K. P. O'Donnell, R. Martin, K. Jacobs, and I. Moerman, Appl. Phys. Lett. 77, 507 (2000).
43. K. P. O'Donnell, R. Martin, P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
44. J. Wang, M. Nozaki, M. Lachab, Y. Ishikawa, R. S. Q. Fareed, T. Wang, M. Hao, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett., 75, 950 (1999).
45. M. Lachab, M. Nozaki, J. Wang, Y. Ishikawa, Q. Fareed, T. Nishikawa, K. Nishino, and S. Sakai, J. Appl. Phys. 87, 1374 (2000).
46. T. J. Goodwin, V. L. Leppert, H. Risbud, I. M. Kennedy, and H. W. H. Lee, Appl. Phys. Lett., 70, 3122 (1997).
47. N. Preschilla, S. Major, N. Kumar, I. Samajdar, and R. S. Srinivasa, Appl. Phys. Lett. 77, 1861 (2000).
48. J. F. Janic and R. L. Well, Chem. Mater. 8, 2708 (1996).
49. J. L. Coffer, M. A. Johnson, L. Zhang, and R. L. Wells, Chem. Mater. 9, 2671 (1991).
50. O. I. Micic, S. P. Ahrenkiel, D. Bertram, and A. J. Nozik, Appl Phys. Lett. 75, 478 (1999).
51. M. Benaissa, K. E. Gonsalves, and S. P. Rangarajan, Appl. Phys. Lett. 71, 3685 (1997).
52. M. A. Reshchikov, J. Cui, F. Yun, A. A. Baski, M. I. Nathan, and H. Morkoç, Mat. Res. Soc. Symp. Vol. 622, T4.5 (2000).
53. H. Morkoç M. A. Reshchikov, K. M. Jones, F. Yun, P. Visconti, M. I. Nathan, and R. J. Molnar, Mat. Res. Soc. Symp. Vol. 639, G11.2 (2001).
54. D. Das and A. C. Melissinos, Quantum Mechanics, (Gordon and Breach Science Publishers, New York, 1986).
55. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett., 68, 2541 (1996).
56. V. Y. Davydov, N. S. Averkiev, I. N. Goncharuk, D. K. Delson, I. P. Nikitina, A. S. Polkovnokov, A. N. Smirnov, and M. A. Jacobson, J. Appl. Phys. 82, 5097(1997).
57. A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 81, 417 (1997).
58. H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 2 27, L1384(1998).
59. W. Shan, R. J. Hauenstein, A. J. Fischer, J. J. Song, W. G. Perry, M. D. Bremser, R. F. Davis, and B. Goldenber, Phys. Rev. B54, 13460 (1996).
60. K. Shimada, T. Sota, and K. Suzuki, J. Appl. Phys. 84, 4951(1998).
61. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B10, 1237 (1992).
62. M. S. Shur, A. D. Bykhovski, and R. Gaska, Solid State Electron 44, 205 (2000).
63. R. Andre, J. Cibert, Le Si Dang, J. Zeman, and M. Zigone, Phys. Rev. B 53, 6951 (1996).
64. J. F. Nye, Physical Properties of Crystals, (Oxford University Press, Oxford, 1985).
65. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B56, R10024 (1997).
66. E. E. Mendez, G. Bastard, L. L. Chang, L. Esaki, H. Morkoç, and R. Fischer, Phys. Rev. B26, 7101 (1982).
67. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Wood, and C. A. Burrus, Phys. Rev. B32, 1043 (1985).
68. A. D. Andreev and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. B62, 15851 (2000).
69. P. Ramvall, S. Tanaka, S. Nomura, P. Riblet, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 73, 1104 (1998).
70. A. Petersson, A. Gustafsson, L. Samuelson, S. Tanaka, Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 74, 3513 (1999).
71. W. Shan, B. D. Little, A. J. Fischer, J. J. Song, B. Goldenberg, W. G. Perry, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B54, 16369 (1996).
72. D. C. Reynolds, D. C. Look, W. Kim, Ö. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoç, and D. N. Talwar, J. Appl. Phys. 80, 594 (1996).
73. O. Moriwaki, T. Someya, K. Tachibana, S. Ishida, Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 2361 (2000).
74. P. Perlin, I. Gorczyca, T. Suski, P. Wisniewski, S. Lepkowski, N. E. Christensen, A. Svane, M. Hansen, S. P. DenBaars, B. Damilano, N. Grandjean, and J. Massies, Phys. Rev. B64, 115319 (2001).
75. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 2753 (1997).
76. M. Pophristic, F. H. Long, C. Tran, I. T. Ferguson, and R. F. Karlicek, J. Appl. Phys. 86, 1114 (1999).
77. P. Riblet, H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, T. Sugano, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 75, 2241 (1999).
78. I. L. Krestnikov, A. V. Sakharov, W. V. Lundin, Yu. G. Musikhin, A. P. Kartashova, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, P. Soshnikov, E. Hahn, B. Neubauer, A. Rosenbauer, D. Litvinov, D. Gerthsen, A. C. Plaut, A. A. Hoffmann, and D. Bimberg, Semiconductors 34, 481 (2000).