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Volumn 79, Issue 3, 1996, Pages 1486-1490

Noise characterization and device parameter extraction of a p-type strained layer quantum-well infrared photodetector

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EID: 0012148120     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.360989     Document Type: Article
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References (21)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.