Carrier dynamics in oxidized porous silicon

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 3, 1996, Pages 1749-1756

  Komuro, Shuji ^a   Kato, Takashi ^a   Morikawa, Takitaro ^a   O'Keeffe, Patrick ^b,c   Aoyagi, Yoshinobu ^b  

^a TOYO UNIVERSITY   (Japan)

^b INST OF PHYS AND CHEMICAL RESEARCH   (Japan)

^c Irie Koken Co Ltd   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0011177751     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.362973     Document Type: Article

References (30)

1. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1096 (1990).
2. M. S. Brandt, H. D. Fuchs, M. Stutzmann, J. Weber, and M. Cardona, Solid State Commun. 81, 302 (1992).
3. F. Koch, V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Nikolov, and V. Garilenko, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 238, 197 (1993).
4. V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Kux, B. K. Meyer, and F. Koch, Appl. Phys. Lett. 61, 943 (1992).
5. S. M. Prokes and O. J. Glembocki, Phys. Rev. B 49, 2238 (1994).
6. L. Tsybeskov, Ju. V. Vanddyshev, and P. M. Fauchet, Phys. Rev. B 49, 7821 (1994).
7. Y. Kanemitsu, T. Futagi, T. Matsumoto, and H. Mimura, Phys. Rev. B 49, 14 732 (1994).
8. P. A. Badoz et al., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 283, 97 (1993).
9. D. I. Kovalev, I. D. Yaroshetzkii, T. Muschik, V. Petrova-Koch, and F. Koch, Appl. Phys. Lett. 64, 214 (1994).
10. S. Komuro, T. Morikawa, P. O'Keeffe, and Y. Aoyagi, J. Non-Cryst. Solids (to be published).
11. Y. Xiao, M. J. Heben, J. M. McCullough, Y. S. Tsuo, J. I. Pankove, and S. K. Deb, Appl. Phys. Lett. 62, 1152 (1993).
12. K. Shiba, K. Sakamoto, S. Miyazaki, and M. Hirose, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 2722 (1993).
13. P. O'Keeffe, S. Komuro, T. Kato, T. Morikawa, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 66, 836 (1995).
14. L. R. Tessler, F. Alvarez, and O. Teschke, Appl. Phys. Lett. 62, 2381 (1993).
15. C. I. Harris, M. Syvajarvi, J. P. Bergman, O. Kordina, A. Henry, B. Monemar, and E. Janzen, Appl. Phys. Lett. 65, 2451 (1994).
16. A. Kux, D. I. Kovalev, and F. Koch, Appl. Phys. Lett. 66, 49 (1995).
17. M. A. Tischler, R. T. Collins, J. H. Stahis, and J. C. Tsang, Appl. Phys. Lett. 60, 639 (1992).
18. P. O'Keeffe, S. Komuro, T. Kato, T. Morikawa, and Y. Aoyagi, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 7117 (1994).
19. P. O'Keeffe, S. Komuro, S. Den, T. Morikawa, and Y. Aoyagi, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 3164 (1991).
20. V. Matijasevic, E. L. Garwin, and R. H. Hammond, Rev. Sci. Instrum. 61, 1747 (1990).
21. P. O'Keeffe, Y. Aoyagi, S. Komuro, and T. Morikawa, J. Non-Cryst. Solids (to be published).
22. S. Komuro, T. Kato, T. Morikawa, P. O'Keeffe, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 68, 949 (1996).
23. Z. Chen, T.-Y. Lee, and G. Bosman, Appl. Phys. Lett. 64, 3446 (1994).
24. A. J. Kontikiewicz et al., Appl. Phys. Lett. 65, 1436 (1994).
25. P. M. Fauchet, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 398, 525 (1994).
26. T. Suzuki, T. Sakai, L. Zhang, and Y. Nishiyama, Appl. Phys. Lett. 66, 215 (1995).
27. R. A. Street, Semiconductors and Semimetals, edited by J. I. Pankove (Academic, Orlando, 1984), Vol. 21B, Chap. 7, p. 222.
28. J. H. Stathis and M. A. Kastner, Phys. Rev. B 35, 2972 (1987).
29. A. Anedda, G. Bongiovanni, M. Cannas, F. Congiu, A. Mura, and M. Martini, J. Appl. Phys. 74, 6993 (1993).
30. I. G. Austin, T. S. Nashashibi, T. M. Searle, P. G. LeComber, and W. E. Spear, J. Non-Cryst. Solids 32, 373 (1979).