CoSi2 heteroepitaxy on patterned Si(100) substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 11, 1996, Pages 6211-6218

  Karpenko, O P ^a   Yalisove, S M ^a  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0011166794     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363697     Document Type: Article

References (39)

1. D. A. Porter and K. E. Easterling, Phase Transformations in Metals and Alloys (Chapman and Hall, New York, 1981).
2. K,-N. Tu, J. W. Mayer, and L. C. Feldman, Electronic Thin Film Science for Electrical Engineers and Materials Scientists (Macmillan, New York, 1992).
3. S. M. Yalisove, R. T. Tung, and D. Loretto, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 1472 (1989).
4. M. Sosnowskj, S. Ramac, W. L. Brown, and Y. O. Kim, Appl. Phys. Lett. 65, 2943 (1994).
5. P. A. Bennett, S. A. Parikh, and D. G. Cahill, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1680 (1993).
6. M. Copel and R. M. Tromp, Appl. Phys. Lett. 65, 3102 (1994).
7. H. Sirringhaus, N. Onda, E. Muller-Gubler, P. Muller, R. Stadler, and H. von Kanel, Phys. Rev. B 47, 10567 (1993).
8. J. R. Jimenez, L. J. Schowalter, L. M. Hsuing, K. Rajan, S. Hashimoto, R. D. Thompson, and S. S. Iyer, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 3014 (1990).
9. Y.-F. Hsieh, R. Hull, A. E. White, and K. T. Short, Appl. Phys. Lett. 58, 122 (1991).
10. C. W. T. Bulle-Lieuwma, A. H. van Ommen, J. Hornstra, and C. N. A. M. Aussems, J. Appl. Phys. 71, 2211 (1992).
11. J. M. Phillips, J. L. Batstone, J. C. Hensel, I. Yu, and M. Cerullo, J. Mater. Res. 5, 1032 (1990).
12. K. Rajan, L. M. Hsiung, J. R. Jimenez, L. J. Schowalter, K. V. Ramanathan, R. D. Thompson, and S. S. Iyer, J. Appl. Phys. 70, 4853 (1991).
13. 2(110) grains varied for growth on wafers taken from different wafer lots.
14. D. P. Adams and S. M. Yalisove, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 317, 35 (1994).
15. W. W. Mullins, J. Appl. Phys. 28, 333 (1957).
16. R. T. Tung and F. Schrey, Phys. Rev. Lett. 63, 1277 (1989).
17. C. W. T. Bulle-Lieuwma and D. E. W. Vandenhoudt, J. Appl. Phys 73. 3220 (1993).
18. A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 66 (1986).
19. Ellen D. Williams and N. C. Bartelt, Science 251, 393 (1991).
20. D. J. Chadi, Phys. Rev. Lett. 59, 1691 (1987).
21. Z. Zhang, Y.-T. Lu, and H. Metiu, Phys. Rev. B 46, 1917 (1992).
22. D. G. Vlachos, L. D. Schmidt, and R. Aris, Phys. Rev. B 47, 4896 (1993).
23. R. J. Phaneuf and E. D. Williams, Phys. Rev. Lett. 58. 2563 (1987).
24. A. G. Schrott and J. M. Blakely, Surf. Sci. Lett. 150, L77 (1985)
25. C. C. Umbach, M. E. Keefe, and J. M. Blakely, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1014 (1991).
26. B. Z. Olshanetsky and V. I. Mashanov, Surf. Sci. 111, 414 (1981).
27. Y.-N. Yang and E. D. Williams, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 2481 (1990).
28. W. Ranke, Phys. Rev. B 41, 5243 (1990).
29. J. Knall, J. B. Pethica, J. D. Todd, and J. H. Wilson, Phys. Rev. Lett. 66, 1733 (1991).
30. J. H. Wilson, P. D. Scott, J. B. Pethica, and J. Knall, J. Phys., Condens. Matter 3, 5133 (1991).
31. D. J. Chadi, Phys. Rev. B 29, 785 (1984).
32. A. Oshiyama, Phys. Rev. Lett. 74, 130 (1994).
33. H. Hirayama, M. Hiroi, and T. Ide, Phys. Rev. B 48, 17331 (1993).
34. H. Hibino , Y. Homma, and T. Ogino, Phys. Rev. B 51, 7753 (1995).
35. A. A. Baski and L. J. Whitman, Phys. Rev. Lett. 74, 956 (1995).
36. D. P. Adams and S. M. Yalisove, J. Appl. Phys. 76, 5185 (1994).
37. D. R. Hamann, Phys. Rev. Lett. 60, 313 (1988).
38. J. M. Gibson, J. L. Batstone, and R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 51, 45 (1987).
39. R. T. Tung and F. Schrey, J. Cryst. Growth 95, 455 (1989).