A high-temperature x-ray-diffraction study of epitaxial PbTiO3 thin films on MgO(100) grown by metal-organic chemical-vapor deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 11, 1996, Pages 6235-6242

  Batzer, R S ^a,d   Yen, Bi Ming ^a   Liu, Donhang ^a,e   Chen, Haydn ^a   Kubo, H ^b   Bai, G R ^c  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

^b NIPPON STEEL CORPORATION   (Japan)

^c ARGONNE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^d INTEL CORPORATION   (United States)

^e AVX CORPORATION   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0010651256     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363700     Document Type: Article

References (29)

1. S. S. Eaton, D. B. Butler, M. Parris D. Wilson, and H. McNeillie, in IEEE International Solid-State Circuits Conference, 1988, pp. 130-131.
2. D. Bondurant, Ferroelectrics 112, 273 (1990).
3. T. D. Hadnagy, S. M. Mitra, and D. J. Sheldon, in IEEE 8th International Symposium on Applications of Ferroelectrics, 1992, pp. 416-419.
4. S. Sinharoy, H. Buhay, D. R. Lampe, and M. H. Francombe, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1554 (1992).
5. D. R. Lampe, D. A. Adams, M. Austin, M. Polinsky, J. Dzimianski, S. Sinharoy, H. Buhay, H. Brabant, and Y. M. Liu, Ferroelectrics 133, 61 (1992).
6. B. S. Kwak, A. Erbil, B. J. Wilkens, J. D. Budai, M. F. Chisholm, and L. A. Boatner, Ceram. Trans. 25, 203 (1992).
7. M. de Keijser, G. J. M. Dormans, J. F. M. Ciliessen, D. M. de Leeuw, and H. W. Zandbergen, Appl. Phys. Lett. 58, 2636 (1991).
8. G. R. Bai, H. L. M. Chang, C. M. Foster, Z. Shen, and D. J. Lam, J. Mater. Res. 9, 156 (1994).
9. C. M. Foster, Z. Li, M. Buckeet, D. Miller, P. M. Baldo, L. E. Rehn, G. R. Bai, D. Guo, H. You, and K. L. Merkle, J. Appl. Phys. 78, 2607 (1995).
10. B. M. Yen, D. Liu, G. R. Bai, and H. Chen, J. Appl. Phys. 76, 4805 (1994).
11. Y. Chen, J. Chen, L. Shun, T. Yu, P. Li, N. Ming, and L. Shi, J. Cryst. Growth 146, 624 (1995).
12. G. J. M. Dormans, P. J. van Veldhoven, and M. de Keijser, J. Cryst. Growth 123, 537 (1992).
13. G. R. Bai, H. L. M. Chang, H. K. Kim, C. M. Foster, and D. J. Lam, Appl. Phys. Lett. 61, 408 (1992).
14. Y. Gao, G. Bai, K. L. Merkle, H. L. M. Chang, and D. J. Lam, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 310, 235 (1993).
15. Y. S. Yoon, W. N. Kang, S. S. Yom, T. W. Kim, M. Jung, H. J. Kim, T. H. Park, and H. K. Na, Appl. Phys. Lett. 63, 1104 (1993).
16. W. C. Hendricks, S. B. Desu, and C. H. Peng, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 335, 93 (1994).
17. B. S. Kwak, A. Erbil, B. J. Wilkens, J. D. Budai, M. F. Chisholm, and L. A. Boatner, Phys. Rev. Lett. 68, 3733 (1992).
18. B. S. Kwak, A. Erbil, J. D. Budai, M. F. Chisholm, L. A. Boatner, and B. J. Wilkens, Phys. Rev. B 49, 14865 (1994).
19. W. Pompe, X. Gong, Z. Suo, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 74, 6012 (1993).
20. N. A. Pertsev and A. G. Zembilgotov, J. Appl. Phys. 78, 6170 (1995).
21. A. L. Roytburd and Y. Yu, Ferroelectrics 144, 137 (1993).
22. J. S. Speck and W. Pompe, J. Appl. Phys. 76, 466 (1994).
23. J. S. Speck, A. Seifert, W. Pompe, and R. Ramesh, J. Appl. Phys. 76, 477 (1994).
24. A. Seifeit, F. F. Lange, and J. S. Speck, J. Mater. Res. 10, 680 (1995).
25. J. S. Speck, A. C. Daykin, A. Seifert, A. E. Romanov, and W. Pompe, J. Appl. Phys. 78, 1696 (1995).
26. C. M. Foster, W. Pompe, A. C. Daykin, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 79, 1405 (1995).
27. International Tables for Crystallography Vol. C, edited by A. J. C. Wilson (Kluwer Academic, Dordrecht, 1992).
28. N. Takesue and H. Chen, J. Appl. Phys. 76, 5856 (1994).
29. G. A. Rossetti, Jr., K. R. Udayakumar, M. J. Haun, and L. E. Cross, J. Am. Ceram. Soc. 73, 3334 (1990).