Surface nucleation of Ti silicides at elevated temperatures

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 14, 1996, Pages 1933-1935

  Tung, R T ^a  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0010642424     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.115630     Document Type: Article

References (10)

1. K. Maex, Mater. Sci. Eng. Rep. R11, 53 (1993).
2. J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain, and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices ED-38, 262 (1991).
3. H. J. W. van Houtum and I. J. M. Raaijmakers, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 54, 37 (1986).
4. K. Holloway and R. Sinclair, J. Appl. Phys. 61, 1359 (1987).
5. Z. Ma, Y. Xu, L. H. Allen, and S. Lee, J. Appl. Phys. 74, 2954 (1993).
6. M. H. Wang and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 59, 2460 (1991).
7. L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, C. Cabral, Jr., C. Nobili, G. Ottaviani, and R. Mann, J. Appl. Phys. 72, 4978 (1992).
8. H. Jeon, C. A. Sukow, J. W. Honeycutt, G. Rozgonyi, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 71, 4269 (1992).
9. K. Fujii, K. Kikuta, and T. Kikkawa, VLSI Symp. Dig. 57 (1995).
10. S. F. Gong, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell, and X.-H. Li, J. Appl. Phys. 68, 4535 (1990).