Implantation species dependence of transient enhanced diffusion in silicon

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 1, 1998, Pages 120-125

  Uematsu, Masashi ^a  

^a NTT CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0010272663     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366708     Document Type: Article

References (28)

1. A. E. Michel, W. Rausch, P. A. Ronsheim, and R. H. Kastl, Appl. Phys. Lett. 50, 416 (1987).
2. N. E. B. Cowern, K. T. F. Janssen, and H. F. F. Jos, J. Appl. Phys. 68, 6191 (1990).
3. R. B. Fair, J. Electrochem. Soc. 137, 667 (1990).
4. S. Solmi, F. Baruffaldi, and R. Canteri, J. Appl. Phys. 69, 2135 (1991).
5. H. Kinoshita, G. Q. Lo, D. L. Kwong, and S. Novak, J. Electrochem. Soc. 140, 248 (1993).
6. M. Hane and H. Matsumoto, IEEE Trans. Electron Devices ED-40, 1215 (1993).
7. B. Baccus, E. Vandenbossche, and M. Lannoo, J. Appl. Phys. 77, 5630 (1995).
8. A. Höfler, Th. Feudel, N. Strecker, W. Fichtner, K.-H. Stegemann, H. Syhre, and G. Dallmann, J. Appl. Phys. 78, 3671 (1995).
9. H. U. Jäger, J. Appl. Phys. 78, 176 (1995).
10. J. Xu, V. Krishnamoorthy, K. S. Jones, and M. E. Law, J. Appl. Phys. 81, 107 (1997).
11. D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 65, 2305 (1994).
12. C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, D. J. Eaglesham, and H.-J. Gossmann, Appl. Phys. Lett. 68, 2395 (1996).
13. H. S. Chao, P. B. Griffin, J. D. Plummer, and C. S. Rafferty, Appl. Phys. Lett. 69, 2113 (1996).
14. H. S. Chao, W. S. Crowder, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 79, 2352 (1996).
15. M. Uematsu, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 36, L982 (1997).
16. M. Uematsu, J. Appl. Phys. 82, 2228 (1997).
17. T. Y. Tan and U. Gösele, Appl. Phys. A: Solids Surf. 37, 1 (1985).
18. J. M. Poate, D. J. Eaglesham, G. H. Gilmer, H.-J. Gossman, M. Jaraiz, C. S. Rafferty, and P. A. Stolk, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 77 (1995).
19. R. B. Fair, J. Electrochem. Soc. 122, 800 (1975).
20. J. S. Makris and B. J. Masters, J. Electrochem. Soc. 120, 1252 (1973).
21. B. J. Masters and J. M. Fairfield, J. Appl. Phys. 40, 2390 (1969).
22. W. Jüngling, P. Pichler, S. Selberherr, E. Guerrero, and H. W. Pötzel, IEEE Trans. Electron Devices ED-32, 156 (1985).
23. D. R. Lim, C. S. Rafferty, and F. P. Klemens, Appl. Phys. Lett. 67, 2302 (1995).
24. D. Mathiot and J. C. Pfister, J. Appl. Phys. 55, 3518 (1984).
25. S. Yu, T. Y. Tan, and U. Gösele, J. Appl. Phys. 69, 3547 (1991).
26. M. Uematsu, K. Wada, and U. Gösele, Appl. Phys. A: Solids Surf. 55, 301 (1992).
27. H. Bracht, N. A. Stolwijk, and H. Mehrer, Phys. Rev. B 52, 16542 (1995).
28. W. S. Crowder, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, in Process and Device Simulation for Silicon and GaAs Devices 1994 (Stanford University Press, CA, 1994), p. 7.