The origin of shallow etch pit defects in low dislocation density GaP crystals

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 6, 1999, Pages 3015-3019

  Okada, H ^a   Kawanaka, T ^a   Ohmoto, S ^a  

^a KOBE STEEL LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0009692612     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371162     Document Type: Article

References (19)

1. W. A. Brantley, O. G. Lorimor, P. D. Dapkus, S. E. Haszko, and R. H. Saul, J. Appl. Phys. 46, 2629 (1975).
2. T. Beppu, M. Iwamoto, M. Naito, and A. Kasami, IEEE Trans. Electron Devices ED-24, 951 (1977).
3. K. Suto and J. Nishizawa, J. Appl. Phys. 67, 459 (1990).
4. T. Iizuka, J. Electrochem. Soc. 118, 1190 (1971).
5. G. A. Rozgonyi and T. Iizuka, J. Electrochem. Soc. 120, 673 (1973).
6. W. A. Gault, E. M. Monberg, and J. E. Clemans, J. Cryst. Growth 74, 491 (1986).
7. S. E. Blum and R. J. Chicotka, J. Electrochem. Soc. 120, 588 (1973).
8. K. Hoshikawa, H. Nakanishi, H. Kohda, and M. Sasaura, J. Cryst. Growth 94, 643 (1989).
9. J. L. Richards and A. J. Crocker, J. Appl. Phys. 31, 611 (1960).
10. R. Gevers, A. Art, and S. Amelinckx, Phys. Status Solidi 3, 1563 (1963).
11. U. Gösele and T. Y. Tan, in Materials Science and Technology, edited by R. W. Cahn, P. Haasen, and E. J. Kramer (VCH, Weinheim, Germany, 1991), p. 197.
12. P. M. Petroff and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 29, 461 (1976).
13. B. P. R. Marioton, T. Y. Tan, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 54, 849 (1989).
14. A. H. Cottrell, Philos. Mag. 44, 1064 (1953).
15. A. G. Tweet, J. Appl. Phys. 30, 2002 (1959).
16. A. J. R. de Koch, Appl. Phys. Lett. 16, 100 (1970).
17. T. Y. Tan and U. Gösele, Mater. Sci. Eng., B 1, 47 (1988).
18. G. A. Rozgonyi, A. R. Von Neida, T. Iizuka, and S. E. Haszko, J. Appl. Phys. 43, 3141 (1972).
19. B. T. Lee, R. Gronsky, and E. D. Bourret, J. Appl. Phys. 64, 114 (1988).