Oxidation and sulfur passivation of GaInAsP(100)

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 7, 1997, Pages 3304-3310

  Rajesh, K ^a   Huang, L J ^a   Lau, W M ^a   Bruce, R ^b   Ingrey, S ^b   Landheer, D ^c  

^a UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO   (Canada)

^b NORTEL NETWORKS   (Canada)

^c NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0009585127     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.364315     Document Type: Article

References (26)

1. G. E. Stillman, L. W. Cook, N. Tabatabaie, G. E. Bulman, and V. M. Robbins, IEEE Trans. Electron Devices ED-30, 364 (1983).
2. G. P. Agarwal and N. K. Dutta, Semiconductor Lasers (Van Nostrand Reinhold, New York, 1993), Chaps. 5 and 10.
3. Y. Shinoda and T. Kobayashi, J. Appl. Phys. 52, 6386 (1981).
4. H. Narui, S. Matsubara, N. S. Takahashi, and S. Kurita, Jpn. J. Appl. Phys. 1 26, L91 (1987).
5. N. Payne and W. A. Gambling, Electron. Lett. 11, 176 (1975).
6. M. Horiguchi and K. Osanai, Electron. Lett. 12, 310 (1976).
7. Y. Shinoda and T. Kobayashi, J. Appl. Phys. 52, 6386 (1981).
8. C. C. Bahr, E. Paparazzo, L. Moretto, F. Lama, and N. Zema. Surf. Sci. 316, 247 (1994).
9. J. L. Yeh, S. Z. Liu, B. Schwartz, and M. J. Vasile, J. Electrochem. Soc. 136, 891 (1989).
10. V. Diadiuk, C. A. Armiento, S. H. Groves, and C. E. Hurwitz, IEEE Electron Device Lett. EDL-1, 177 (1980).
11. W. M. Lau, R. N. S. Sodhi, and S. Ingrey, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 1371 (1988).
12. Y. Tao, A. Yelon, E. Sacher, Z. H. Lu, and M. J. Graham, Appl. Phys. Lett. 60, 2669 (1992).
13. S. Ingrey, W. M. Lau, and N. S. McIntyre, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 983 (1986).
14. C. J. Sandroff, M. S. Hegde, L. A. Farrow, C. C. Chang, and J. P. Harbison, Appl. Phys. Lett. 54, 362 (1989); C. J. Nottenburg, J. C. Bischoff, and R. Bhat, ibid. 51, 33 (1987).
15. C. J. Sandroff, M. S. Hegde, L. A. Farrow, C. C. Chang, and J. P. Harbison, Appl. Phys. Lett. 54, 362 (1989); C. J. Nottenburg, J. C. Bischoff, and R. Bhat, ibid. 51, 33 (1987).
16. S. I. J. Ingrey, W. M. Lau, and R. N. S. Sodhi, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 1554 (1989).
17. K. Rajesh, L. J. Huang, W. M. Lau, R. Bruce, S. Ingrey, and D. Landheer, Canad. J. Phys. (in press).
18. R. Iyer and D. L. Lile, Appl. Phys. Lett. 59, 437 (1991).
19. S. Ingrey, W. M. Lau, N. S. McIntyre, and R. N. S. Sodhi, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1621 (1987).
20. J. H. Scofield, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 8, 129 (1976).
21. W. M. Lau, R. W. M. Kwok, and S. Ingrey, Surf. Sci. 271, 579 (1992).
22. W. M. Lau, R. N. S. Sodhi, S. Jin, and S. Ingrey, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1899 (1990).
23. Y. Fakuda, Y. Suzuki, N. Sanada, S. Sasaki, and T. Ohsawa, J. Appl. Phys. 76, 3059 (1994).
24. I. M. Band, Yu. I. Khraritonov, and M. B. Trzhaskovskaya, At. Data Nucl. Data Tables 23, 443 (1979).
25. Z. H. Lu and M. J. Graham, Phys. Rev. B 48, 4604 (1993).
26. B. Murphy, P. Moriarty, L. Roberts, T. Cafolla, G. Hughes, L. Koenders, and P. Bailey, Surf. Sci. 317, 73 (1994).