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Volumn 58, Issue 1, 1976, Pages 238-245

Quantum galvanomagnetic properties of n-type inversion layers on Si(100) MOSFET

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EID: 0009381576     PISSN: 00396028     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/0039-6028(76)90144-8     Document Type: Article
Times cited : (79)

References (14)
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    • 84917975200 scopus 로고    scopus 로고
    • T. Ando, Y. Matsumoto and Y. Uemura, J. Phys. Soc. Japan, to be published.


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.