Précautions à prendre lors de la caractérisation par XRD de dépôts de nitrure de carbone sur Si(100)

Journal De Physique. IV : JP

Volumn 8, Issue 5, 1998, Pages 241-247

  Collard, S ^a   Hoyer, W ^a  

^a CHEMNITZ UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

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EID: 0008881953     PISSN: 11554339     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1051/jp4:1998530     Document Type: Article

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