Competition between deep impurity and dopant behavior of Mg in GaN Schottky diodes

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 3, 2001, Pages 1890-1897

  Schmeits, M ^a   Nguyen, N D ^a   Germain, M ^a  

^a UNIVERSITY OF LIÈGE   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0007065362     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1339208     Document Type: Article

References (25)

1. J. Y. Duboz, Phys. Status Solidi A 176, 5 (1999).
2. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 28 (1994).
3. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, M. Blasingame, and A. R. Bhattarai, Appl. Phys. Lett. 63, 2455 (1993).
4. E. Monroy, M. Hamilton, D. Walker, P. Kung, F. J. Sanchez, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 74, 1171 (1999).
5. C. Zolper, R. J. Shul, A. G. Baca, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 2273 (1996).
6. J. I. Pankove, M. Leksono, S. S. Chang, C. Walker, and B. Van Zeghbroeck, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 39 (1996).
7. T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 65, 593 (1994).
8. H. Nakayama, P. Hacke, M. R. H. Khan, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L282 (1996).
9. W. Götz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, and R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 68, 667 (1996).
10. W. G. Oldham and S. K. Naik, Solid-State Electron. 15, 1085 (1972).
11. Y. Zotha, Solid-State Electron. 16, 1029 (1973).
12. M. Beguwala and C. R. Crowell, Solid-State Electron. 17, 203 (1974).
13. J. W. Huang, F. T. Kuech, H. Lu, and I. Bhat, Appl. Phys. Lett. 68, 2392 (1996).
14. Y. Zotha, H. Kuroda, R. Nii, and S. Nakamura, J. Cryst. Growth 189/190, 616 (1998).
15. P. Kozodoy, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 87, 770 (2000).
16. M. Schmeits, M. Sakhaf, and S. Munnix, J. Appl. Phys. 74, 6266 (1993).
17. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
18. S. Selberherr, Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (Springer, Wien, 1984).
19. C. M. Snowden, Semiconductor Device Modelling (Peter Peregrinus, London, 1988).
20. M. Sakhaf and M. Schmeits, J. Appl. Phys. 80, 6839 (1996).
21. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996).
22. H. Harima, T. Inoue, S. Nakashima, K. Furukawa, and M. Taneya, Appl. Phys. Lett. 73, 2000 (1998).
23. X. A. Cao, S. J. Parton, G. Dang, F. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 4130 (1999).
24. D. J. Kim, D. Y. Ryu, N. A. Bojarczuk, J. Karasinski, S. Guha, S. H. Lee, and J. H. Lee, J. Appl. Phys. 88, 2564 (2000).
25. See, e.g., Ref. 10, relations (19).