Minimization of suboxide transition regions at Si-SiO2 interfaces by 900°C rapid thermal annealing

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 15, Issue 4, 1997, Pages 1074-1079

  Lucovsky, G ^a   Banerjee, A ^a   Hinds, B ^a   Claflin, B ^a   Koh, K ^a   Yang, H ^a  

^a NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0006872409     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (28)

1. D. Mathiot, A. Straboni, E. Andre, and P. Debenest, J. Appl. Phys. 73, 8215 (1993); J. Ahn, J. Kim, G. Q. Lo, and D.-L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 60, 2089 (1992).
2. D. Mathiot, A. Straboni, E. Andre, and P. Debenest, J. Appl. Phys. 73, 8215 (1993); J. Ahn, J. Kim, G. Q. Lo, and D.-L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 60, 2089 (1992).
3. D. R. Lee, G. Lucovsky, M. R. Denker, and C. Magee, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 607 (1995); D. R. Lee, C. Parker, J. R. Hauser, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1778 (1995).
4. D. R. Lee, G. Lucovsky, M. R. Denker, and C. Magee, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 607 (1995); D. R. Lee, C. Parker, J. R. Hauser, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1778 (1995).
5. 2 Interface, edited by H. Z. Massoud, E. H. Poindexter, and C. R. Helms (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1996), p. 441.
6. A. Banerjee and G. Lucovsky, MRS Symp. Proc. 420, 405 (1996).
7. B. Hinds, G. Lucovsky, A. Banerjee, and R. Johnson, MRS Symp. Proc. (in press).
8. H.-S. Tao, J. E. Rowe, H. Niimi, H. Yang, T. E. Madey, and G. Lucovsky (unpublished).
9. F. J. Grunthaner and P. J. Grunthaner, Mater. Sci. Rep. 1, 65 (1986).
10. F. J. Himpsel, F. R. McFeely, A. Teleb-Ibrahimi, J. A. Yarnoff, and G. Hollinger, Phys. Rev. B 38, 6084 (1988); M. M. Banaszak-Holl, S. Lee, and F. R. McFeely, Appl. Phys. Lett. 65, 1097 (1994).
11. F. J. Himpsel, F. R. McFeely, A. Teleb-Ibrahimi, J. A. Yarnoff, and G. Hollinger, Phys. Rev. B 38, 6084 (1988); M. M. Banaszak-Holl, S. Lee, and F. R. McFeely, Appl. Phys. Lett. 65, 1097 (1994).
12. M.-T. Tang, K. W. Evans-Lutterodt, G. S. Higashi, and T. Boone, Appl. Phys. Lett. 62, 3144 (1993); M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterholt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H.-T. Tang, L. Manchanda, and M.-T. Tang, ibid. 65, 848 (1994).
13. M.-T. Tang, K. W. Evans-Lutterodt, G. S. Higashi, and T. Boone, Appl. Phys. Lett. 62, 3144 (1993); M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterholt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H.-T. Tang, L. Manchanda, and M.-T. Tang, ibid. 65, 848 (1994).
14. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, Phys. Rev. B 52, 1759 (1995).
15. X. Chen and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 70, 1462 (1997).
16. T. Yasuda, Y. Ma, S. Habermehl, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 60, 434 (1992).
17. C. H. Bjorkman, T. Yasuda, C. E. Shearon, Jr., U. Emmerichs, C. Meyer, K. Leo, and H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1521 (1993).
18. S. S. Chao, J. E. Tyler, Y. Takagi, P. G. Pai, G. Lucovsky, S. Y. Lin, C. K. Wong, and M. J. Mantini, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 1574 (1986).
19. D. V. Tsu, G. Lucovsky, and B. N. Davidson, Phys. Rev. B 40, 1795 (1989).
20. M. A. Paesler, D. A. Anderson, E. C. Freeman, G. Moddel, and W. Paul, Phys. Rev. Lett. 41, 1492 (1978).
21. J. C. Knights, R. A. Street, and G. Lucovsky, J. Non-Cryst. Solids 35-36, 279 (1980).
22. Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto, T. Masumoto, T. Futagi, and H. Mimura, Phys. Rev. B 48, 2827 (1993).
23. J. Didap, X. F. Hu, M. H. Anderson, M. C. Downer, M. terBeck, J. K. Lowell, and O. A. Aktsipetrov, in Ref. 2, p. 406.
24. T. Sakoda and Matsumura, Proceedings of ISCSI, Karuizawa, Japan, 1996.
25. F. M. Ross, J. M. Gibson, and R. D. Twesten, Surf. Sci. 310, 243 (1994).
26. P. O. Hahn and M. Henzler, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 574 (1984).
27. J. R. Hauser (private communication).
28. J. Stathis (unpublished).