2×106cm2/Vs electron mobility by metalorganic chemical vapor deposition with tertiarybutylarsine

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 2, 1996, Pages 208-210

  Chui, H C ^a   Hammons, B E ^a   Harff, N E ^a   Simmons, J A ^a   Sherwin, M E ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0006805287     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116462     Document Type: Article

References (22)

1. S. P. Watkins and G. Haacke, Appl. Phys. Lett. 59, 2263 (1991).
2. S. P. Watkins, D. M. Brake, and G. Haacke, J. Appl. Phys. 75, 2952 (1994).
3. T. Kikkawa, H. Tanaka, and J. Komeno, J. Appl. Phys. 67, 7576 (1990).
4. R. M. Biefeld, H. C. Chui, B. E. Hammons, W. G. Breiland, T. M. Brennan, E. D. Jones, M. H. Kim, P. Grodzinski, and H. C. Lee (unpublished).
5. H. C. Chui, R. M. Biefeld, B. E. Hammons, W. G. Breiland, T. M. Brennan, E. D. Jones, M. H. Kim, P. Grodzinski, K. H. Chang, and H. C. Lee (unpublished).
6. J. A. Baumann, C. Michel, H. Marek, H. B. Serreze, and R. Schachter, J. Electron. Mater. 19, 363 (1990).
7. W. Walukiewicz, H. E. Ruda, J. Lagowski, and H. C. Gatos, Phys. Rev. B 30, 4571 (1984).
8. T. Makimoto and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 648 (1993).
9. M. Razeghi, M. Defour, F. Omnes, M. Dobers, J. P. Vieren, and Y. Guldner, Appl. Phys. Lett. 55, 457 (1989).
10. R. Basco, F. Agahi, and K. M. Lau, Appl. Phys. Lett. 63, 1960 (1993).
11. H. C. Chui, B. E. Hammons, J. A. Simmons, N. E. Harff, and M. E. Sherwin, Appl. Phys. Lett. 67, 1911 (1995).
12. P. M. Frijlink, J. Cryst. Growth 93, 207 (1988).
13. J. H. English, A. C. Gossard, H. L. Störmer, and K. W. Baldwin, Appl. Phys. Lett. 50, 1826 (1987).
14. M. Shayegan, V. J. Goldman, C. Jiang, T. Sajoto, and M. Santos, Appl. Phys. Lett. 52, 1086 (1988).
15. C. T. Foxon, J. J. Harris, D. Hilton, J. Hewett, and C. Roberts, Semicond. Sci. Technol. 4, 582 (1989).
16. L. N. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stormer, and K. W. Baldwin, Appl. Phys. Lett. 55, 1888 (1989).
17. T. Saku, Y. Hirayama, and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 902 (1991).
18. D. C. Tsui and H. L. Stormer, IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1711 (1986).
19. M. H. Kim, S. S. Bose, B. J. Skromme, B. Lee, and G. E. Stillman, J. Electron. Mater. 20, 671 (1991).
20. M. Hata, N. Fukuhara, Y. Zempo, M. Isemura, T. Yako, and T. Maeda, J. Cryst. Growth 93, 543 (1988).
21. S. P. Watkins and G. Haacke, J. Appl. Phys. 69, 1625 (1991).
22. S. Holmes, C. C. Phillips, R. A. Stradling, Z. Wasilewski, R. Droopad, S. D. Parker, W. T. Yuen, P. Balk, A. Brauers, H. Heinecke, C. Plass, M. Weyers, C. T. Foxon, B. A. Joyce, G. W. Smith, and C. R. Whitehouse, Semicond. Sci. Technol. 4, 782 (1989).