Excess carrier lifetime and ambipolar diffusion anisotropy in a nipi-doped In0.2Ga0.8As/GaAs multiple-quantum-well structure

Journal of Applied Physics

Volumn 79, Issue 9, 1996, Pages 7014-7020

  Lin, H T ^a   Rich, D H ^a   Larsson, A ^b  

^a University of Southern California   (United States)

^b CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0005860276     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.361467     Document Type: Article

References (25)

1. J. Maserjian, P. O. Andersson, B. R. Hancock, J. M. Iannelli, S. T. Eng, F. J. Grunthaner, K.-K. Law, P. O. Holtz, R. J. Simes, L. A. Coldren, A. C. Gossard, and J. L. Merz, Appl. Opt. 28, 4801 (1989).
2. G. H. Döhler, IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1682 (1986); J. Vac. Sci. Technol. B 1, 278 (1983).
3. G. H. Döhler, IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1682 (1986); J. Vac. Sci. Technol. B 1, 278 (1983).
4. K. H. Gulden, H. Lin, P. Kiesel, P. Riel, G. H. Döhler, and K. J. Ebeling, Phys. Rev. Lett. 66, 373 (1991).
5. M. K. Hibbs-Brenner, P. P. Ruden, J. A. Lehman, J. J. Liu, and R. A. Walterson, IEEE J. Quantum Electron. QE-30, 1227 (1994).
6. G. Delgado, J. Johansson, A. Larsson, and T. Andersson, IEEE Microwave Guided Wave Lett. MGW-5, 198 (1995).
7. D. H. Rich, K. C. Rajkumar, L. Chen, A. Madhukar, T. George, J. Maserjian, F. J. Grunthaner, and A. Larsson, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1965 (1992).
8. M. Meshkinpour, M. S. Goorsky, and K. M. Matney, J. Appl. Phys. 76, 3362 (1994).
9. O. Sjölund and A. Larsson, IEEE Photonics Technol. Lett. PTL-7, 682 (1995).
10. O. Sjölund, M. Ghisoni, and A. Larsson, Electron. Lett. 31, 917 (1995).
11. H. T. Lin, D. H. Rich, O. Sjölund, M. Ghisoni, and A. Larsson, J. Appl. Phys. (in press).
12. D. H. Rich, K. Rammohan, Y. Tang, H. T. Lin, J. Maserjian, F. J. Grunthaner, A. Larsson, and S. I. Borenstain, Appl. Phys. Lett. 63, 394 (1993).
13. D. H. Rich, K. Rammohan, Y. Tang, H. T. Lin, J. Maserjian, F. J. Grunthaner, A. Larsson, and S. I. Borenstain, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1717 (1993).
14. D. H. Rich, K. Rammohan, Y. Tang, H. T. Lin, J. Maserjian, F. J. Grunthaner, A. Larsson, and S. I. Borenstain, Appl. Phys. Lett. 64, 730 (1994).
15. D. H. Rich, H. T. Lin, and A. Larsson, J. Appl. Phys. 77, 6557 (1995).
16. S. H. Park, J. F. Morhange, A. D. Jeffery, R. A. Morgan, A. Chavez-Pirson, H. M. Gibbs, S. W. Koch, N. Peyghambarian, M. Derstine, A. C. Gossard, J. H. English, and W. Weigmann, Appl. Phys. Lett. 52, 1201 (1988).
17. M. Kawase, E. Garmire, H. C. Lee, and P. D. Dapkus, IEEE J. Quantum Electron. QE-30, 981 (1994).
18. T. E. Everhart and P. H. Hoff, J. Appl. Phys. 42, 5837 (1971).
19. J. M. Iannelli, J. Maserjian, B. R. Hancock, P. O. Andersson, and F. J. Grunthaner, Appl. Phys. Lett. 54, 301 (1989).
20. B. Jonsson, A. G. Larsson, O. Sjölund, S. Wang, T. G. Andersson, and J. Maserjian, IEEE J. Quantum Electron. QE-30, 63 (1994).
21. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), p. 29.
22. D. H. Rich, K. Rammohan, Y. Tang, H. T. Lin, R. S. Goldman, H. H. Wieder, and K. L. Kavanagh, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1766 (1995).
23. K. Rammohan, Y. Tang, D. H. Rich, R. S. Goldman, H. H. Wieder, and K. L. Kavanagh, Phys. Rev. B 51, 5033 (1995).
24. T. George, E. R. Weber, S. Nozaki, T. Yamada, M. Konagai, and K. Takahashi, Appl. Phys. Lett. 59, 60 (1991).
25. E. A. Fitzgerald, G. P. Watson, R. E. Proano, D. G. Ast, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Appl. Phys. 65, 2220 (1989).