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Volumn 73, Issue 18, 1998, Pages 2633-2635

Precipitation of As in thermally oxidized ion-implanted Si crystals

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EID: 0005840905     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122536     Document Type: Article
Times cited : (9)

References (15)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.