In situ investigation of the passivation of Si and Ge by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition of SiO2

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 14, Issue 3, 1996, Pages 1687-1696

  Wang, Y ^a   Hu, Y Z ^a   Irene, E A ^a  

^a University of North Carolina at Chapel Hill   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0005322076     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.589211     Document Type: Article

References (34)

1. E. A. Irene, CRC Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 14, 175 (1988).
2. J. J. Rosenberg and S. C. Martin, IEEE Electron. Device Lett. 9, 639 (1988).
3. Q. Hua, J. J. Rosenberg, J. Ye, and E. S. Yang, J. Appl. Phys. 53, 8969 (1982).
4. D. J. Hymes and J. J. Rosenberg, J. Electrochem. Soc. 135, 961 (1988).
5. J. Asmussen, in Handbook of Plasma Processing Technology, edited by S. M. Rossnagel, J. J. Cuomo, and W. D. Westwood (Noyes, New Jersey, 1990), p. 285.
6. D. A. Carl, D. W. Hess, and M. A. Lieberamn, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 2924 (1990).
7. D. A. Carl, D. W. Hess, M. A. Lieberamn, T. S. Nguyen, and R. Gronsky, J. Appl. Phys. 70, 3301 (1991).
8. Y. Z. Hu, Y. Wang, M. Li, J. Joseph, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 900 (1993).
9. Y. Wang, Y. Z. Hu, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1309 (1994).
10. G. Lucovsky, S. S. Kim, D. V. Tsu, G. G. Fountain, and R. J. Markunas, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 861 (1989).
11. G. G. Fountain, S. V. Hattangady, R. A. Rudder, R. J. Markunas, G. Lucovsky, S. S. Kim, and D. V. Tsu, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 576 (1989).
12. G. Lucovsky, T. Yasuda, Y. Ma, S. Habermehl, S. S. He, and D. J. Stephens, Thin Solid Films 220, 38 (1992).
13. D. J. Vitkavage, G. G. Fountain, R. A. Rudder, S. V. Hattangady, and R. J. Markunas, Appl. Phys. Lett. 53, 692 (1988).
14. S. V Hattangady, G. G. Fountain, R. A. Rudder, M. J. Mantini, D. J. Vitkavage, and R. J. Markunas, Appl. Phys. Lett. 57, 581 (1990).
15. S. V. Hattangady, M. J. Mantini, G. G. Fountain, R. A. Rudder, and R. J. Markunas, J. Appl. Phys. 71, 3842 (1992).
16. Y. Z. Hu, M. Li, Y. Wang, E. A. Irene, M. C. Hugon, N Jiang, F. Varniere, M. Froment, and B. Agius, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 227 (1995).
17. J. Joseph, Y. Z. Hu, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 611 (1992).
18. Y. Z. Hu, J.-Th. Zettler, S. Chongsawangvirod, Y. Wang, and E. A. Irene, Appl. Phys. Lett. 61, 1098 (1992).
19. Y. Z. Hu, P. P. Buaud, Y. Wang, L. Spanos, and E. A. Irene, Appl. Phys. Lett. 64, 1233 (1994).
20. Y. Z. Hu, M. Li, Y. Wang, E. A. Irene, M. Rowe, and H. C. Casey, Jr., Appl. Phys. Lett. 63, 1113 (1993).
21. E. A. Irene, Thin Solid Films 233, 96, (1993).
22. J. W. Andrews, Ph.D. thesis, University of North Carolina at Chapel Hill, 1990.
23. W. Kern and D. A. Puotinen, RCA Rev. 31, 187 (1970).
24. D. E. Aspnes and A. A. Studna, Appl. Phys. Lett. 39, 316 (1981).
25. J. C. Poler, Ph.D. thesis, University of North Carolina at Chapel Hill, 1992.
26. D. E. Aspnes, J. B. Theeten, and F. Hottier, Phys. Rev. B 20, 3992 (1979).
27. D. E. Aspnes, Thin Solid Films 89, 249 (1982).
28. S. S. Kim, D. J. Stephens, G. Lucovsky, G. G. Fountain, and R. J. Markunas, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 2039 (1990).
29. G. Lucovsky, M. J. Manitini, J. K. Srivastava, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 530 (1987).
30. D. Schmeisser, R. D. Schnell, A. Bogen, F. J. Himpsel, D. Rieger, G. Landgren, and J. F. Morar, Surf. Sci. 172, 455 (1986).
31. N. Cabrera and N. F. Mott, Rep. Prog. Phys. 12, 163 (1948).
32. B. E. Deal and A. S. Grove, J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965).
33. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (Wiley Interscience, New York, 1982).
34. K. A. Conrad, R. K. Sampson, H. Z. Massoud, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2096 (1993).