Ohmic contact formation mechanism of the Au/Ge/Pd/n-GaAs system formed below 200°C

Journal of Applied Physics

Volumn 79, Issue 8, 1996, Pages 4216-4220

  Wang, L C ^a   Hao, P H ^a   Cheng, J Y ^b   Deng, F ^c   Lau, S S ^c  

^a Texas AandM University   (United States)

^b LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^c UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0004667867     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.361789     Document Type: Article

References (23)

1. T. C. Shen, G. B. Gao, and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2113 (1992).
2. C. Van Hoof, J. Genoe, M. Van Hove, Ph. Jansen, M. Van Rossum, and G. Borghs, Electron. Lett. 26, 797 (1990).
3. D. B. Slater, Jr., P. M. Enquist, J. A. Hutchby, A. S. Morris, and R. J. Trew, IEEE Electron Device Lett. 15, 154 (1994).
4. Y. Fan, J. Han, L. He, J. Saraie, R. L. Gunshor, M. Hagerott, H. Jeon, A. V. Nurmikko, G. C. Hua, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 61, 3160 (1992).
5. J. M. Woodall, J. L. Freeouf, G. D. Pettit, T. Jackson, and P. Kirchner, J. Vac. Sci. Technol. 19, 626 (1981).
6. L. C. Wang, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 319, 93 (1994).
7. H. J. Kim, M. Murakami, S. L. Wright, M. Norcott, W. H. Price, and D. La Tulipe, J. Appl. Phys. 68, 2475 (1990).
8. L. H. Allen, L. S. Hung, K. L. Kavanagh, J. R. Phillips, A. J. Yu, and J. W. Mayer, Appl. Phys. Lett. 51, 326 (1987).
9. T. Sands, E. D. Marshall, and L. C. Wang, J. Mater. Res. 3, 914 (1988).
10. E. D. Marshall, W. X. Chen, C. S. Wu, S. S. Lau, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 47, 298 (1985).
11. L. C. Wang, Y. Z. Li, M. Kappes, S. S. Lau, D. M. Hwang, S. A. Schwarz, and T. Sands, Appl. Phys. Lett. 60, 3016 (1992).
12. L. S. Yu, L. C. Wang, E. D. Marshall, S. S. Lau, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 65, 1621 (1989).
13. E. D. Marshall, B. Zhang, L. C. Wang, P. F. Jiao, W. X. Chen, T. Sawada, S. S. Lau, K. L. Kavanagh, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 62, 942 (1987).
14. L. C. Wang, B. Zhang, F. Fang, E. D. Marshall, S. S. Lau, T. Sands, and T. F. Kuech, J. Mater. Res. 3, 922 (1988).
15. C. J. Palmstrøm, S. A. Schwarz, E. Yablonovitch, J. P. Harbison, C. L. Schwartz, L. T. Florez, T. J. Gmitter, E. D. Marshall, and S. S. Lau, J. Appl. Phys. 67, 334 (1990).
16. K. Wuyts, J. Watté, R. E. Silverans, M. Van Hove, G. Borghs, C. J. Palmstrøm, L. T. Florez, and H. Münder, Appl. Phys. Lett. 64, 2406 (1994).
17. E. D. Marshall, S. S. Lau, C. J. Palmstrøm, T. Sands, S. A. Schwarz, J. P. Harbison, C. L. Schwartz, and L. T. Florez, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 148, 163 (1989).
18. M. W. Cole, W. Y. Han, L. M. Casas, D. W. Eckart, and K. A. Jones, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1904 (1994).
19. W. Y. Han, Y. Lu, H. S. Lee, M. W. Cole, L. M. Casas, A. DeAnni, K. A. Jones, and L. W. Yang, J. Appl. Phys. 74, 754 (1993).
20. L. C. Wang, P. H. Hao, and B. J. Wu, Appl. Phys. Lett. 67, 509 (1995).
21. H. H. Herger, Solid State Electron. 15, 145 (1972).
22. L. R. Doolittle, Nucl. Instrum. Methods B 9, 344 (1985).
23. P. H. Hao, L. C. Wang, Fei Deng, S. S. Lau, and J. Y. Cheng, J. Appl. Phys. (accepted).